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트랜지스터

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부품 번호
설명
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APTGT100DA170TG
APTGT100DA170TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 150A 560W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음8,154
APTGT100DA60T1G
APTGT100DA60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음5,526
APTGT100DA60TG
APTGT100DA60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 150A 340W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음3,438
APTGT100DDA60T3G
APTGT100DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual Boost Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음3,654
APTGT100DH120TG
APTGT100DH120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Asymmetrical Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
  • 전력-최대: 480W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음3,690
APTGT100DH170G
APTGT100DH170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Asymmetrical Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음2,430
APTGT100DH60T3G
APTGT100DH60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 150A SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Asymmetrical Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음6,750
APTGT100DH60TG
APTGT100DH60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Asymmetrical Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음3,526
APTGT100DSK60T3G
APTGT100DSK60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual Buck Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음3,456
APTGT100DU120TG
APTGT100DU120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
  • 전력-최대: 480W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음7,578
APTGT100DU170TG
APTGT100DU170TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT DUAL SOURCE 1700V 150A SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음8,568
APTGT100DU60TG
APTGT100DU60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음3,888
APTGT100H120G
APTGT100H120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
  • 전력-최대: 480W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음8,226
APTGT100H170G
APTGT100H170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음3,024
APTGT100H60T3G
APTGT100H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음4,500
APTGT100H60TG
APTGT100H60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음7,938
APTGT100SK120D1G
APTGT100SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 520W D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 520W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 3mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음5,418
APTGT100SK120TG
APTGT100SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 140A 480W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
  • 전력-최대: 480W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음4,914
APTGT100SK170D1G
APTGT100SK170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 200A 695W D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전력-최대: 695W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 3mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음2,718
APTGT100SK170TG
APTGT100SK170TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 150A 560W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음3,564
APTGT100SK60T1G
APTGT100SK60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 150A 340W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음4,284
APTGT100SK60TG
APTGT100SK60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 150A 340W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음2,520
APTGT100TA120TPG
APTGT100TA120TPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
  • 전력-최대: 480W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: SP6-P
재고 있음5,562
APTGT100TA60PG
APTGT100TA60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6-P
재고 있음3,564
APTGT100TDU60PG
APTGT100TDU60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRIPLE DUAL SRC SP6P

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Triple, Dual - Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6-P
재고 있음3,312
APTGT100TL170G
APTGT100TL170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Level Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 560W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음7,200
APTGT100TL60T3G
APTGT100TL60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Level Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음7,758
APTGT150A1202G
APTGT150A1202G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 220A SP2

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
  • 전력-최대: 690W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP2
  • 공급자 장치 패키지: SP2
재고 있음4,284
APTGT150A120D1G
APTGT150A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
  • 전력-최대: 700W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 4mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음4,410
APTGT150A120G
APTGT150A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
  • 전력-최대: 690W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음5,112