트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FS820R08A6P2LMBPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 HYBRID PACK DRIVE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): 820A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,474
FS900R08A2P2B31BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,968
FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,212
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MODULE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892
FT150R12KE3G_B4 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,274
FT150R12KE3GB4BDLA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 3 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,174
FZ1000R12KF5NDSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1000A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,158
FZ1000R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1000A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,996
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHVB130-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,914
FZ1000R33HL3BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHVB130-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,456
FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,802
FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1825A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,490
FZ1200R12HP4HOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1790A 전력-최대: 7150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,888
FZ1200R12KF4NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,996
FZ1200R12KF5NDSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,776
FZ1200R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,148
FZ1200R12KL4CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
FZ1200R17HE4HOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 7800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,610
FZ1200R17HE4PHPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,478
FZ1200R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 7800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,532
FZ1200R17HP4HOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHMB130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 7800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,130
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
FZ1200R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1700V 1200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,236
FZ1200R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHVB190-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 13000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 210nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,946
FZ1200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV190-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2000A 전력-최대: 14500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 12mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 150nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,628
FZ1200R33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 3300V IHV 190MM 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2300A 전력-최대: 14500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,348
FZ1200R33KL2CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 3300V IHV 190MM 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 2300A 전력-최대: 14500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,768
FZ1200R45HL3BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHVB190-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 15000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,294
FZ1200R45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV190-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 13500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -50°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,718
FZ1500R33HE3BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT IHVB190-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A 전력-최대: 17000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1500A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,330

FS820R08A6P2LMBPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

HYBRID PACK DRIVE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): 820A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,474

FS900R08A2P2B31BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,968

FS900R08A2P2B32BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,212

FT150R12KE3B5BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MODULE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,892

FT150R12KE3G_B4

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,274

FT150R12KE3GB4BDLA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 3 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,174

FZ1000R12KF5NDSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1000A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,158

FZ1000R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1000A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,996

FZ1000R33HE3BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHVB130-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,914

FZ1000R33HL3BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHVB130-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 190nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,456

FZ1200R12HE4HOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,802

FZ1200R12HE4PHPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1825A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,490

FZ1200R12HP4HOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1790A
전력-최대: 7150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 74nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,888

FZ1200R12KF4NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,996

FZ1200R12KF5NDSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,776

FZ1200R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,148

FZ1200R12KL4CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,934

FZ1200R17HE4HOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 7800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,610

FZ1200R17HE4PHPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,478

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 7800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,532

FZ1200R17HP4HOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHMB130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 7800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,130

FZ1200R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

FZ1200R17KF6CB2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1700V 1200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,236

FZ1200R33HE3BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHVB190-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 13000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 210nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,946

FZ1200R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV190-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2000A
전력-최대: 14500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 12mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 150nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,628

FZ1200R33KL2CB5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3300V IHV 190MM

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2300A
전력-최대: 14500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,348

FZ1200R33KL2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3300V IHV 190MM

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 2300A
전력-최대: 14500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 145nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,768

FZ1200R45HL3BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHVB190-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 15000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,294

FZ1200R45KL3B5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV190-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 13500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -50°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,718

FZ1500R33HE3BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT IHVB190-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A
전력-최대: 17000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1500A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 280nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,330

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