트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FZ600R17KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 3350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,922
FZ600R65KE3NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV190-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 2400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 160nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -50°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,168
FZ750R65KE3NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV190-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 750A 전력-최대: 14500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 750A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 205nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -50°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,200
FZ800R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 800A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 3550W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,950
FZ800R12KS4B2NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHM130-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 7600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 52nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,280
FZ800R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV130-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1300A 전력-최대: 9600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,210
FZ800R33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 3300V IHV 130MM 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A 전력-최대: 9800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,982
FZ800R33KL2CNOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 3300V IHV 130MM 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A 전력-최대: 9800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,588
FZ800R45KL3B5NOSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT A-IHV130-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1600A 전력-최대: 9000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -50°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,128
FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 900A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: C IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 4300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음307
FZ900R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,626
FZ900R12KP4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,572
GA200SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT STD 600V 100A SOT227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 630W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음186
GA200SA60U Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT UFAST 600V 100A SOT227 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.5nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음4,230
GA400TD25S Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8) 공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK	재고 있음8,118
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A SOT-227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.55nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,362
GB35XF120K Vishay Semiconductor Diodes Division	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.475nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ECONO2 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,992
GHIS030A120S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,798
GHIS030A120S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,668
GHIS040A060S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.72nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,204
GHIS040A060S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.72nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,784
GHIS040A120S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,032
GHIS040A120S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,678
GHIS060A060S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 297W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,482
GHIS060A060S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,838
GHIS060A120S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 680W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,192
GHIS060A120S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 680W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,610
GHIS080A060S1-E1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 160A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,796
GHIS080A060S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,204
GHIS080A060S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,352

FZ600R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 3350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,922

FZ600R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV190-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 2400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 160nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -50°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,168

FZ750R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV190-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 750A
전력-최대: 14500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 750A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 205nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -50°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,200

FZ800R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 800A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 3550W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,950

FZ800R12KS4B2NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHM130-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 7600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 52nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,280

FZ800R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV130-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1300A
전력-최대: 9600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,210

FZ800R33KL2CB5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3300V IHV 130MM

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A
전력-최대: 9800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,982

FZ800R33KL2CNOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 3300V IHV 130MM

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1500A
전력-최대: 9800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 97nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,588

FZ800R45KL3B5NOSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT A-IHV130-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 4500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1600A
전력-최대: 9000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -50°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,128

FZ900R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 900A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: C
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 4300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음307

FZ900R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,626

FZ900R12KP4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,572

GA200SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT STD 600V 100A SOT227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음186

GA200SA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT UFAST 600V 100A SOT227

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.5nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음4,230

GA400TD25S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
공급자 장치 패키지: Dual INT-A-PAK

재고 있음8,118

GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A SOT-227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.55nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,362

GB35XF120K

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.475nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ECONO2
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,992

GHIS030A120S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,798

GHIS030A120S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,668

GHIS040A060S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.72nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,204

GHIS040A060S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.72nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,784

GHIS040A120S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,032

GHIS040A120S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,678

GHIS060A060S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 297W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,482

GHIS060A060S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,838

GHIS060A120S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,192

GHIS060A120S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,610

GHIS080A060S1-E1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,796

GHIS080A060S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,204

GHIS080A060S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.44nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,352

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message