트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
GHIS080A120S-A1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,734
GHIS080A120S-A2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,526
GSID080A120B1A5 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A 전력-최대: 1710W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,804
GSID100A120S5C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 170A 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 650W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,654
GSID100A120T2C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 640W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,214
GSID100A120T2C1A Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,168
GSID100A120T2P2 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 710W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,682
GSID150A120S3B1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,564
GSID150A120S5C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 285A 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 285A 전력-최대: 1087W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,894
GSID150A120S6A4 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 275A 전력-최대: 1035W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,150
GSID150A120T2C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 285A 전력-최대: 1087W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,946
GSID200A120S3B1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1595W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,032
GSID200A120S5C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 335A 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 335A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,316
GSID200A170S3B1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1630W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,070
GSID300A120S5C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 430A 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1630W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,730
GSID300A125S5C1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 3 Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,140
GSID600A120S4B1 Global Power Technologies Group	트랜지스터-IGBT-모듈 SILICON IGBT MODULES 제조업체: Global Power Technologies Group 시리즈: Amp+™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1130A 전력-최대: 3060W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,438
HGT1N30N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전력-최대: 255W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음242
HGT1N40N60A4D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 298W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음5,760
HIGFEB1BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT HYBRID PK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,308
HIGFED1BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT HYBRID PK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,454
IFF2400P17AE4BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM MIPAQP-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 65°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,138
IFF2400P17LE4BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM MIPAQP-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 65°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,338
IFF300B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MEDIUM POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-6	재고 있음8,226
IFF300B12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,736
IFF300B17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 27nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,264
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 ECONO DUAL 3 W/SHUNTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 40W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,716
IFF450B12ME4S8PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MEDIUM POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-6	재고 있음5,166
IFF600B12ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MEDIUM POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-5	재고 있음2,736
IFF600B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 ECONO DUAL 3 W/SHUNTS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 40W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,318

GHIS080A120S-A1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,734

GHIS080A120S-A2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.3nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,526

GSID080A120B1A5

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
전력-최대: 1710W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,804

GSID100A120S5C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 170A

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 650W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,654

GSID100A120T2C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 640W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,214

GSID100A120T2C1A

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,168

GSID100A120T2P2

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 710W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,682

GSID150A120S3B1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,564

GSID150A120S5C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 285A

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 285A
전력-최대: 1087W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,894

GSID150A120S6A4

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 275A
전력-최대: 1035W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,150

GSID150A120T2C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 285A
전력-최대: 1087W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,946

GSID200A120S3B1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,032

GSID200A120S5C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 335A

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 335A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,316

GSID200A170S3B1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,070

GSID300A120S5C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 430A

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,730

GSID300A125S5C1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 3 Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1250V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 30.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,140

GSID600A120S4B1

Global Power Technologies Group

트랜지스터-IGBT-모듈

SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
시리즈: Amp+™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1130A
전력-최대: 3060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,438

HGT1N30N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전력-최대: 255W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음242

HGT1N40N60A4D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 298W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음5,760

HIGFEB1BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT HYBRID PK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,308

HIGFED1BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT HYBRID PK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,454

IFF2400P17AE4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM MIPAQP-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 65°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,138

IFF2400P17LE4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM MIPAQP-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 65°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,338

IFF300B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MEDIUM POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-6

재고 있음8,226

IFF300B12N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,736

IFF300B17N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 27nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,264

IFF450B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

ECONO DUAL 3 W/SHUNTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 40W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,716

IFF450B12ME4S8PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MEDIUM POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-6

재고 있음5,166

IFF600B12ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MEDIUM POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-5

재고 있음2,736

IFF600B12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

ECONO DUAL 3 W/SHUNTS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 40W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,318

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