트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRG5W50HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 260W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음7,290
IRG7T100HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 575W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음3,204
IRG7T100HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 680W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,472
IRG7T150CH12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 910W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음6,804
IRG7T150CL12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 910W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,004
IRG7T150HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 910W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음3,348
IRG7T15FF12Z Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 15A 6PK EZIRPACK1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module 공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™	재고 있음8,874
IRG7T200CH12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 390A 전력-최대: 1060W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음4,554
IRG7T200CL12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 390A 전력-최대: 1060W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,184
IRG7T200HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1060W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음4,464
IRG7T300CH12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 570A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음4,770
IRG7T300CL12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 570A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음7,416
IRG7T300HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 570A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음3,384
IRG7T300SD12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 1800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 41.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,652
IRG7T400SD12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 400A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 780A 전력-최대: 2140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 58.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,562
IRG7T50FF12E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음8,352
IRG7T50HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음7,902
IRG7T75HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음2,214
IRG7U100HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 580W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음2,178
IRG7U100HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 580W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음8,550
IRG7U150HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음2,574
IRG7U200HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1130W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음8,406
IRG7U50HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 310W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음6,984
IRG7U75HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음6,084
IRGTI090U06 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A 전력-최대: 298W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.8nF @ 30V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지: INT-A-PAK	재고 있음8,766
IXA220I650NA IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 650V SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음5,958
IXA27IF1200HJ IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 43A 전력-최대: 150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™	재고 있음7,200
IXA60IF1200NA IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 88A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A 전력-최대: 290W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음20
IXA70I1200NA IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227B	재고 있음2,808
IXA90IF650NA IXYS	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 650V 90A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380

IRG5W50HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 50A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 260W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음7,290

IRG7T100HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 575W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음3,204

IRG7T100HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,472

IRG7T150CH12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 910W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음6,804

IRG7T150CL12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 910W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,004

IRG7T150HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 910W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음3,348

IRG7T15FF12Z

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 15A 6PK EZIRPACK1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module
공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™

재고 있음8,874

IRG7T200CH12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 390A
전력-최대: 1060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음4,554

IRG7T200CL12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 390A
전력-최대: 1060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,184

IRG7T200HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음4,464

IRG7T300CH12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 570A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음4,770

IRG7T300CL12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 570A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음7,416

IRG7T300HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 570A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 42.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음3,384

IRG7T300SD12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 1800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 41.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,652

IRG7T400SD12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 400A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 780A
전력-최대: 2140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 58.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,562

IRG7T50FF12E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음8,352

IRG7T50HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음7,902

IRG7T75HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음2,214

IRG7U100HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 580W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음2,178

IRG7U100HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 580W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음8,550

IRG7U150HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음2,574

IRG7U200HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1130W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음8,406

IRG7U50HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 310W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음6,984

IRG7U75HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음6,084

IRGTI090U06

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD HALF BRIDGE 90A UFAST

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
전력-최대: 298W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.8nF @ 30V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지: INT-A-PAK

재고 있음8,766

IXA220I650NA

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 650V SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음5,958

IXA27IF1200HJ

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 43A
전력-최대: 150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™

재고 있음7,200

IXA60IF1200NA

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 88A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
전력-최대: 290W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음20

IXA70I1200NA

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227B

재고 있음2,808

IXA90IF650NA

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 650V 90A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

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