트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MEDIUM POWER ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ 3 IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-5	재고 있음7,542
IFS100B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,240
IFS100B12N3E4_B39 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,004
IFS100B12N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 515W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,078
IFS100B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,174
IFS100V12PT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM MIPAQ-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 65°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,532
IFS150B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,390
IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,434
IFS150B12N3E4PB50BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,078
IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,598
IFS150V12PT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM MIPAQ-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 65°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,510
IFS200B12N3E4B31BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,052
IFS200V12PT4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM MIPAQ-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,400
IFS75B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,040
IFT150B12N3E4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,394
IM240M6Y1BAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE 23DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.9W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm) 공급자 장치 패키지: 23-DIP	재고 있음7,560
IM240M6Y2BAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE DIP23A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.9W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm) 공급자 장치 패키지: 23-DIP	재고 있음6,228
IM240M6Z1BALSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE SOP23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.9W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 23-SMD Module 공급자 장치 패키지: 23-DIP	재고 있음8,946
IM240S6Y1BAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE 23DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.4W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm) 공급자 장치 패키지: 23-DIP	재고 있음6,822
IM240S6Y2BAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE DIP23A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.4W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm) 공급자 장치 패키지: 23-DIP	재고 있음6,750
IM240S6Z1BALSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IPM 3PHASE SOP23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 8.4W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 23-SMD Module 공급자 장치 패키지: 23-SOP	재고 있음4,410
IRDM983-025MB Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE MOTION CTLR 40QFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,838
IRDM983-025MBTR Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE MOTION CTLR 40QFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,112
IRG5K100HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 405W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음6,750
IRG5K100HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 620W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음5,868
IRG5K100HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음6,318
IRG5K100HH06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 405W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음8,874
IRG5K150HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 150A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 270A 전력-최대: 660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음8,964
IRG5K150HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1060W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음6,120
IRG5K15FF06Z Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 15A 6PK EZIRPACK 1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module 공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™	재고 있음4,554

IFF600B12ME4S8PB11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MEDIUM POWER ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™ 3
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-ECONOD-5

재고 있음7,542

IFS100B12N3E4B31BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,240

IFS100B12N3E4_B39

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,004

IFS100B12N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 515W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,078

IFS100B17N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,174

IFS100V12PT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM MIPAQ-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 65°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,532

IFS150B12N3E4B31BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,390

IFS150B12N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,434

IFS150B12N3E4PB50BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,078

IFS150B17N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,598

IFS150V12PT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM MIPAQ-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 65°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,510

IFS200B12N3E4B31BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,052

IFS200V12PT4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM MIPAQ-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,400

IFS75B12N3E4B31BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,040

IFT150B12N3E4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,394

IM240M6Y1BAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE 23DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.9W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
공급자 장치 패키지: 23-DIP

재고 있음7,560

IM240M6Y2BAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE DIP23A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.9W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
공급자 장치 패키지: 23-DIP

재고 있음6,228

IM240M6Z1BALSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE SOP23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.9W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 23-SMD Module
공급자 장치 패키지: 23-DIP

재고 있음8,946

IM240S6Y1BAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE 23DIP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.4W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
공급자 장치 패키지: 23-DIP

재고 있음6,822

IM240S6Y2BAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE DIP23A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.4W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
공급자 장치 패키지: 23-DIP

재고 있음6,750

IM240S6Z1BALSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IPM 3PHASE SOP23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 8.4W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 23-SMD Module
공급자 장치 패키지: 23-SOP

재고 있음4,410

IRDM983-025MB

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE MOTION CTLR 40QFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,838

IRDM983-025MBTR

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE MOTION CTLR 40QFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,112

IRG5K100HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 405W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음6,750

IRG5K100HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 620W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음5,868

IRG5K100HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음6,318

IRG5K100HH06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 405W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음8,874

IRG5K150HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 150A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 270A
전력-최대: 660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음8,964

IRG5K150HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1060W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음6,120

IRG5K15FF06Z

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 15A 6PK EZIRPACK 1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module
공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™

재고 있음4,554

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