트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRG5K200HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 200A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음4,248
IRG5K200HF06B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음4,230
IRG5K200HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음8,334
IRG5K300HF06B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A 전력-최대: 1200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음7,146
IRG5K30FF06Z Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 30A 6PK EZIRPACK1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전력-최대: 200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module 공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™	재고 있음4,428
IRG5K35HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 35A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음3,204
IRG5K400HF06B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 400A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 670A 전력-최대: 1620W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음5,130
IRG5K50FF06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 50A 6PK POWIR ECO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 245W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음3,114
IRG5K50HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 245W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음7,308
IRG5K50HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 390W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음6,804
IRG5K75FF06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 75A 6PK POWIR ECO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음6,948
IRG5K75HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음3,330
IRG5K75HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 540W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음7,632
IRG5K75HH06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 75A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음2,196
IRG5U100HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음6,210
IRG5U100HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 620W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음3,438
IRG5U100HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음3,762
IRG5U100HH06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음7,146
IRG5U150HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 150A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음4,158
IRG5U150HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 260A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음6,210
IRG5U200HF12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 285A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음6,912
IRG5U200SD12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A 전력-최대: 1430W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 23nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음4,014
IRG5U300SD12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 480A 전력-최대: 2170W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 38nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음8,208
IRG5U400SD12B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 400A POWIR 62 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 45.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 62	재고 있음7,164
IRG5U50HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전력-최대: 390W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음7,632
IRG5U50HH12E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 50A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 85A 전력-최대: 390W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음7,308
IRG5U75HF06A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음8,280
IRG5U75HF12A Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 540W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module 공급자 장치 패키지: POWIR® 34	재고 있음5,292
IRG5U75HH06E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 75A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 330W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음6,642
IRG5U75HH12E Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 540W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module 공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™	재고 있음7,074

IRG5K200HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 200A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음4,248

IRG5K200HF06B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음4,230

IRG5K200HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음8,334

IRG5K300HF06B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
전력-최대: 1200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음7,146

IRG5K30FF06Z

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 30A 6PK EZIRPACK1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전력-최대: 200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: EZIRPACK 1™ Module
공급자 장치 패키지: EZIRPACK 1™

재고 있음4,428

IRG5K35HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 35A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음3,204

IRG5K400HF06B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 400A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 670A
전력-최대: 1620W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 25nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음5,130

IRG5K50FF06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 50A 6PK POWIR ECO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 245W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음3,114

IRG5K50HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 50A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 245W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음7,308

IRG5K50HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 390W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음6,804

IRG5K75FF06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 75A 6PK POWIR ECO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음6,948

IRG5K75HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음3,330

IRG5K75HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 540W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음7,632

IRG5K75HH06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 75A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음2,196

IRG5U100HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음6,210

IRG5U100HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 620W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음3,438

IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음3,762

IRG5U100HH06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 100A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음7,146

IRG5U150HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 150A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음4,158

IRG5U150HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 260A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음6,210

IRG5U200HF12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 285A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음6,912

IRG5U200SD12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
전력-최대: 1430W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 23nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음4,014

IRG5U300SD12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 480A
전력-최대: 2170W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 38nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음8,208

IRG5U400SD12B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 400A POWIR 62

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 45.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 62

재고 있음7,164

IRG5U50HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전력-최대: 390W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음7,632

IRG5U50HH12E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 50A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 85A
전력-최대: 390W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음7,308

IRG5U75HF06A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음8,280

IRG5U75HF12A

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 540W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR® 34 Module
공급자 장치 패키지: POWIR® 34

재고 있음5,292

IRG5U75HH06E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 75A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 330W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음6,642

IRG5U75HH12E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 540W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POWIR ECO 2™ Module
공급자 장치 패키지: POWIR ECO 2™

재고 있음7,074

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message