트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRG6I330U-110P Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A 전력-최대: 43W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,580
IRG6I330U-111P Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A 전력-최대: 43W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,626
IRG6I330U-168P Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A 전력-최대: 43W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,570
IRG6I330UPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A 전력-최대: 43W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 86nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns 테스트 조건: 196V, 25A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음2,034
IRG6IC30U-110P Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 28A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.38V @ 15V, 120A 전력-최대: 43W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음3,204
IRG6IC30UPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.88V @ 15V, 120A 전력-최대: 37W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns 테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음3,508
IRG6S320UPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 50A 114W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A 전력-최대: 114W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 46nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns 테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음4,464
IRG6S320UTRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 50A 114W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A 전력-최대: 114W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 46nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns 테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음4,842
IRG6S320UTRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 50A 114W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A 전력-최대: 114W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 46nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns 테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음5,382
IRG6S330UPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 330V 70A 160W D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 70A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 86nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns 테스트 조건: 196V, 25A, 10Ohm 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음7,902
IRG7CH11K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,078
IRG7CH20K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,028
IRG7CH23K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,560
IRG7CH28UED Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,808
IRG7CH28UEF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 60nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/225ns 테스트 조건: 600V, 15A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,724
IRG7CH30K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.56V @ 15V, 10A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 4.8nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/90ns 테스트 조건: 600V, 10A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,796
IRG7CH35UED Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,114
IRG7CH35UEF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 5A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 85nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/160ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,672
IRG7CH37K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 80nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/122ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,682
IRG7CH42UED Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,888
IRG7CH42UEF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 5A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 157nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/229ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,736
IRG7CH44K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/230ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,966
IRG7CH46UED Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,410
IRG7CH46UEF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,424
IRG7CH50K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 170nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/280ns 테스트 조건: 600V, 35A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,832
IRG7CH50UED Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
IRG7CH50UEF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,544
IRG7CH54K10EF-R Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 290nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 75ns/305ns 테스트 조건: 600V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,736
IRG7CH73K10EF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 360nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 63ns/267ns 테스트 조건: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,118
IRG7CH73K10EF-R Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 420nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 105ns/45ns 테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,760

IRG6I330U-110P

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A
전력-최대: 43W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,580

IRG6I330U-111P

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A
전력-최대: 43W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,626

IRG6I330U-168P

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A
전력-최대: 43W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,570

IRG6I330UPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A
전력-최대: 43W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 86nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns
테스트 조건: 196V, 25A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음2,034

IRG6IC30U-110P

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 28A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.38V @ 15V, 120A
전력-최대: 43W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음3,204

IRG6IC30UPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.88V @ 15V, 120A
전력-최대: 37W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns
테스트 조건: 400V, 25A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음3,508

IRG6S320UPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A
전력-최대: 114W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns
테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음4,464

IRG6S320UTRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A
전력-최대: 114W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns
테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음4,842

IRG6S320UTRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A
전력-최대: 114W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 24ns/89ns
테스트 조건: 196V, 12A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음5,382

IRG6S330UPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 330V 70A 160W D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 330V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 70A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 86nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/120ns
테스트 조건: 196V, 25A, 10Ohm
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음7,902

IRG7CH11K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,078

IRG7CH20K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,028

IRG7CH23K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,560

IRG7CH28UED

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,808

IRG7CH28UEF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/225ns
테스트 조건: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,724

IRG7CH30K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.56V @ 15V, 10A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 4.8nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/90ns
테스트 조건: 600V, 10A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,796

IRG7CH35UED

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,114

IRG7CH35UEF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 5A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/160ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,672

IRG7CH37K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/122ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,682

IRG7CH42UED

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,888

IRG7CH42UEF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 5A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 157nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/229ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,736

IRG7CH44K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/230ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,966

IRG7CH46UED

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,410

IRG7CH46UEF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,424

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 170nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/280ns
테스트 조건: 600V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,832

IRG7CH50UED

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

IRG7CH50UEF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,544

IRG7CH54K10EF-R

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 290nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 75ns/305ns
테스트 조건: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,736

IRG7CH73K10EF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 360nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 63ns/267ns
테스트 조건: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,118

IRG7CH73K10EF-R

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 420nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 105ns/45ns
테스트 조건: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,760

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