트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRG8CH137K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 820nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 115ns/570ns 테스트 조건: 600V, 150A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,114
IRG8CH15K10D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,730
IRG8CH15K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns 테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,574
IRG8CH184K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 1110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 135ns/640ns 테스트 조건: 600V, 200A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,910
IRG8CH20K10D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,082
IRG8CH20K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,862
IRG8CH29K10D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,370
IRG8CH29K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 160nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,294
IRG8CH37K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 210nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns 테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,712
IRG8CH42K10D Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,302
IRG8CH42K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 230nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,212
IRG8CH50K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 245nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/285ns 테스트 조건: 600V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,826
IRG8CH76K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 480nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 80ns/210ns 테스트 조건: 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,276
IRG8CH97K10F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A DIE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 600nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/230ns 테스트 조건: 600V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,708
IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A 전력-최대: 89W 에너지 전환: 300µJ (on), 300µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns 테스트 조건: 600V, 5A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음5,472
IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전류-수집기 펄스 (Icm): 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A 전력-최대: 89W 에너지 전환: 300µJ (on), 300µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns 테스트 조건: 600V, 5A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음5,328
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 600µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns 테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음2,286
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 30A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 600µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 98nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns 테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음2,826
IRG8P25N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A 전력-최대: 180W 에너지 전환: 800µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음2,016
IRG8P25N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A 전력-최대: 180W 에너지 전환: 800µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns 테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음2,502
IRG8P40N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A 전력-최대: 305W 에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음7,200
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A 전력-최대: 305W 에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 80ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음128
IRG8P45N65UD1-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 G8 650V 45A CO-PAK-247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,338
IRG8P45N65UD1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 G8 650V 45A CO-PAK-247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,698
IRG8P50N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: 350W 에너지 전환: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 315nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns 테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 170ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음2,844
IRG8P50N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A 전력-최대: 350W 에너지 전환: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 315nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns 테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 170ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음5,742
IRG8P60N120KD-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: 420W 에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 345nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 210ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음2,844
IRG8P60N120KDPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: 420W 에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 345nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns 테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 210ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음3,472
IRG8P75N65UD1-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 G8 650V 75A CO-PAK-247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,866
IRG8P75N65UD1PBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 G8 650V 75A CO-PAK-247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,732

IRG8CH137K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 820nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 115ns/570ns
테스트 조건: 600V, 150A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,114

IRG8CH15K10D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,730

IRG8CH15K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns
테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,574

IRG8CH184K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 1110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 135ns/640ns
테스트 조건: 600V, 200A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,910

IRG8CH20K10D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,082

IRG8CH20K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,862

IRG8CH29K10D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,370

IRG8CH29K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 160nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,294

IRG8CH37K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns
테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,712

IRG8CH42K10D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,302

IRG8CH42K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 230nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns
테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,212

IRG8CH50K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 245nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/285ns
테스트 조건: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,826

IRG8CH76K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 480nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 80ns/210ns
테스트 조건: 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,276

IRG8CH97K10F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A DIE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 600nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/230ns
테스트 조건: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,708

IRG8P08N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
전력-최대: 89W
에너지 전환: 300µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns
테스트 조건: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음5,472

IRG8P08N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전류-수집기 펄스 (Icm): 15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
전력-최대: 89W
에너지 전환: 300µJ (on), 300µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/160ns
테스트 조건: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음5,328

IRG8P15N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 600µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns
테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음2,286

IRG8P15N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 600µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 98nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/170ns
테스트 조건: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음2,826

IRG8P25N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
전력-최대: 180W
에너지 전환: 800µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음2,016

IRG8P25N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
전력-최대: 180W
에너지 전환: 800µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/170ns
테스트 조건: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음2,502

IRG8P40N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
전력-최대: 305W
에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음7,200

IRG8P40N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
전력-최대: 305W
에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/245ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 80ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음128

IRG8P45N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

G8 650V 45A CO-PAK-247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,338

IRG8P45N65UD1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

G8 650V 45A CO-PAK-247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,698

IRG8P50N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: 350W
에너지 전환: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns
테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 170ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음2,844

IRG8P50N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
전력-최대: 350W
에너지 전환: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 315nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/190ns
테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 170ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음5,742

IRG8P60N120KD-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: 420W
에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 345nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns
테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 210ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음2,844

IRG8P60N120KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: 420W
에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 345nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/240ns
테스트 조건: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 210ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음3,472

IRG8P75N65UD1-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

G8 650V 75A CO-PAK-247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,866

IRG8P75N65UD1PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

G8 650V 75A CO-PAK-247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,732

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