트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRGBC20UD2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 13A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A 전력-최대: 60W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,320
IRGBC30F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FAST 600V 31A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,716
IRGBC30FD2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 31A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,070
IRGBC30S Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT STD 600V 34A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 34A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 18A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,496
IRGBC30U Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,680
IRGBC30UD2 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,628
IRGBC40S Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT STD 600V 50A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 31A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,498
IRGBC40U Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,484
IRGBF20F Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT FAST 900V 20A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5.3A 전력-최대: 60W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,178
IRGC14C40LD Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT IGNITION LL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 4.5V, 10A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Logic 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,418
IRGC4056B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,920
IRGC4059B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,986
IRGC4060B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음6,786
IRGC4061B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,428
IRGC4062B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,784
IRGC4063B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,076
IRGC4064B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,182
IRGC4067B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 240nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/160ns 테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음3,024
IRGC4069B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,862
IRGC4263B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음7,182
IRGC4630B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음8,622
IRGC4660B Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT CHIP WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 45ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음2,646
IRGH4607DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,848
IRGH4610DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 8PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: - 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,484
IRGI4045DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A 전류-수집기 펄스 (Icm): 18A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A 전력-최대: 33W 에너지 전환: 64µJ (on), 123µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 13nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/73ns 테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 73ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음3,528
IRGI4056DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 18A 34W TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A 전류-수집기 펄스 (Icm): 27A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 9A 전력-최대: 34W 에너지 전환: 59µJ (on), 177µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 25nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/84ns 테스트 조건: 400V, 9A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 72ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음4,554
IRGI4059DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT TO220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,724
IRGI4060DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전류-수집기 펄스 (Icm): 23A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 7.5A 전력-최대: 37W 에너지 전환: 47µJ (on), 141µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 19nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/101ns 테스트 조건: 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 73ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음4,626
IRGI4061DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 20A 43W TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.59V @ 15V, 11A 전력-최대: 43W 에너지 전환: 52µJ (on), 231µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 35nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/111ns 테스트 조건: 400V, 11A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,838
IRGI4062DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 22A 48W TO220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 22A 전류-수집기 펄스 (Icm): 44A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A 전력-최대: 48W 에너지 전환: 31µJ (on), 183µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/100ns 테스트 조건: 400V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 56ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak	재고 있음6,462

IRGBC20UD2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 13A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6.5A
전력-최대: 60W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,320

IRGBC30F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FAST 600V 31A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,716

IRGBC30FD2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 31A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,070

IRGBC30S

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT STD 600V 34A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 34A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 18A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,496

IRGBC30U

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,680

IRGBC30UD2

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,628

IRGBC40S

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT STD 600V 50A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 31A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,498

IRGBC40U

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,484

IRGBF20F

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT FAST 900V 20A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5.3A
전력-최대: 60W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,178

IRGC14C40LD

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT IGNITION LL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 430V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.65V @ 4.5V, 10A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Logic
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,418

IRGC4056B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,920

IRGC4059B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,986

IRGC4060B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음6,786

IRGC4061B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,428

IRGC4062B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,784

IRGC4063B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,076

IRGC4064B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,182

IRGC4067B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 240nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/160ns
테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음3,024

IRGC4069B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,862

IRGC4263B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음7,182

IRGC4630B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음8,622

IRGC4660B

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT CHIP WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 45ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음2,646

IRGH4607DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,848

IRGH4610DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 8PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: -
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,484

IRGI4045DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
전류-수집기 펄스 (Icm): 18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
전력-최대: 33W
에너지 전환: 64µJ (on), 123µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 13nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/73ns
테스트 조건: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 73ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음3,528

IRGI4056DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 18A 34W TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
전류-수집기 펄스 (Icm): 27A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 9A
전력-최대: 34W
에너지 전환: 59µJ (on), 177µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 25nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/84ns
테스트 조건: 400V, 9A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 72ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음4,554

IRGI4059DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT TO220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,724

IRGI4060DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전류-수집기 펄스 (Icm): 23A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.72V @ 15V, 7.5A
전력-최대: 37W
에너지 전환: 47µJ (on), 141µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 19nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/101ns
테스트 조건: 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 73ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

재고 있음4,626

IRGI4061DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 20A 43W TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.59V @ 15V, 11A
전력-최대: 43W
에너지 전환: 52µJ (on), 231µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 35nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/111ns
테스트 조건: 400V, 11A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,838

IRGI4062DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 22A 48W TO220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 22A
전류-수집기 펄스 (Icm): 44A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A
전력-최대: 48W
에너지 전환: 31µJ (on), 183µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/100ns
테스트 조건: 400V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 56ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak

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