트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXBH16N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 40A 250W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 72nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.32µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음272
IXBH16N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 16A 150W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns 테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 360ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,816
IXBH20N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 50A 250W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.35µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,174
IXBH20N360HV IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3600V 70A TO-247HV 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 430W 에너지 전환: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/238ns 테스트 조건: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 1.7µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: TO-247HV	재고 있음111
IXBH24N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 60A 250W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 230A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.06µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음4,626
IXBH28N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 30A 300W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A 전력-최대: 300W 에너지 전환: 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/265ns 테스트 조건: 850V, 14A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 360ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음2,232
IXBH2N250 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 2500V 5A 32W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전류-수집기 펄스 (Icm): 13A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A 전력-최대: 32W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 10.6nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 920ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,528
IXBH32N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 80A 400W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 280A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A 전력-최대: 400W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.5µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음1,259
IXBH40N160 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 33A 350W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 350W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 130nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 960V, 20A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음1,011
IXBH42N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 80A 360W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A 전력-최대: 360W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 188nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.32µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,840
IXBH42N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 42A 357W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전류-수집기 펄스 (Icm): 265A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A 전력-최대: 357W 에너지 전환: 3.43mJ (on), 430µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 188nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/200ns 테스트 조건: 850V, 21A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 330ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음248
IXBH5N160G IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A 전력-최대: 68W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 26nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 960V, 3A, 47Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음3,204
IXBH6N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 12A 75W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전류-수집기 펄스 (Icm): 36A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A 전력-최대: 75W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 17nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.08µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,678
IXBH9N160G IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 9A 100W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 9A 전류-수집기 펄스 (Icm): 10A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A 전력-최대: 100W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 34nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 960V, 5A, 27Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음6,516
IXBK55N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 130A 625W TO264 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전류-수집기 펄스 (Icm): 600A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A 전력-최대: 625W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 335nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.9µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음22,866
IXBK64N250 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A 전력-최대: 735W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음5,198
IXBK75N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 200A 1040W TO264 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전류-수집기 펄스 (Icm): 580A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A 전력-최대: 1040W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 350nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.5µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음6,642
IXBK75N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 110A 1040W TO264 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A 전력-최대: 1040W 에너지 전환: 3.8mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 358nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/418ns 테스트 조건: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 360ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음3,312
IXBL20N300C IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 430A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 20A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 23mJ (on), 2.6mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 425nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/370ns 테스트 조건: 1500V, 20A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 864ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음6,696
IXBL60N360 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 92A 전류-수집기 펄스 (Icm): 720A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 60A 전력-최대: 417W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 450nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/340ns 테스트 조건: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 1.95µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음8,640
IXBL64N250 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 116A 전류-수집기 펄스 (Icm): 750A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A 전력-최대: 500W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 400nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 160ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음8,982
IXBP5N160G IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A 전력-최대: 68W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 26nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 960V, 3A, 47Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,574
IXBR42N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 57A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 42A 전력-최대: 200W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 188nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.32µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™	재고 있음4,878
IXBT10N170 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 20A 140W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A 전력-최대: 140W 에너지 전환: 6mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 30nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/500ns 테스트 조건: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 360ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음2,034
IXBT12N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 30A 160W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.4µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음6,300
IXBT12N300HV IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 30A 160W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A 전력-최대: 160W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 62nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/180ns 테스트 조건: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 1.4µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음7,812
IXBT16N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 16A 150W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 1.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns 테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 360ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음210
IXBT16N170AHV IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A 전력-최대: 150W 에너지 전환: 2.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 65nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/250ns 테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268HV	재고 있음7,596
IXBT20N300 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 50A 250W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.35µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음2,754
IXBT20N300HV IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3000V 50A 250W TO268 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 105nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 1.35µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지: TO-268	재고 있음4,518

IXBH16N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 40A 250W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 72nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.32µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음272

IXBH16N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 16A 150W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns
테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 360ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,816

IXBH20N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 50A 250W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.35µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,174

IXBH20N360HV

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3600V 70A TO-247HV

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 430W
에너지 전환: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/238ns
테스트 조건: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 1.7µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: TO-247HV

재고 있음111

IXBH24N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 60A 250W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 230A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.06µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음4,626

IXBH28N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A
전력-최대: 300W
에너지 전환: 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/265ns
테스트 조건: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 360ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음2,232

IXBH2N250

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 2500V 5A 32W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전류-수집기 펄스 (Icm): 13A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
전력-최대: 32W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 10.6nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 920ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,528

IXBH32N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 80A 400W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
전력-최대: 400W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.5µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음1,259

IXBH40N160

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 350W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음1,011

IXBH42N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 80A 360W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A
전력-최대: 360W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.32µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,840

IXBH42N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 42A 357W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전류-수집기 펄스 (Icm): 265A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
전력-최대: 357W
에너지 전환: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/200ns
테스트 조건: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 330ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음248

IXBH5N160G

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
전력-최대: 68W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 26nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음3,204

IXBH6N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전류-수집기 펄스 (Icm): 36A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
전력-최대: 75W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 17nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.08µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,678

IXBH9N160G

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 9A 100W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 9A
전류-수집기 펄스 (Icm): 10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 5A
전력-최대: 100W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 34nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 960V, 5A, 27Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음6,516

IXBK55N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 130A 625W TO264

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전류-수집기 펄스 (Icm): 600A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 55A
전력-최대: 625W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 335nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.9µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음22,866

IXBK64N250

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
전력-최대: 735W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음5,198

IXBK75N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 200A 1040W TO264

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전류-수집기 펄스 (Icm): 580A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A
전력-최대: 1040W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 350nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.5µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음6,642

IXBK75N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 110A 1040W TO264

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
전력-최대: 1040W
에너지 전환: 3.8mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 358nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/418ns
테스트 조건: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 360ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음3,312

IXBL20N300C

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 430A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 20A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 23mJ (on), 2.6mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 425nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/370ns
테스트 조건: 1500V, 20A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 864ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음6,696

IXBL60N360

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 92A
전류-수집기 펄스 (Icm): 720A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 60A
전력-최대: 417W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 450nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/340ns
테스트 조건: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 1.95µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음8,640

IXBL64N250

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 116A
전류-수집기 펄스 (Icm): 750A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
전력-최대: 500W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 400nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 160ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음8,982

IXBP5N160G

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.7A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.2V @ 15V, 3A
전력-최대: 68W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 26nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,574

IXBR42N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 57A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 42A
전력-최대: 200W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 188nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.32µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™

재고 있음4,878

IXBT10N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 20A 140W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
전력-최대: 140W
에너지 전환: 6mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 30nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/500ns
테스트 조건: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 360ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음2,034

IXBT12N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 30A 160W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.4µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음6,300

IXBT12N300HV

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 30A 160W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
전력-최대: 160W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 64ns/180ns
테스트 조건: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 1.4µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음7,812

IXBT16N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 16A 150W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 1.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns
테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 360ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음210

IXBT16N170AHV

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
전력-최대: 150W
에너지 전환: 2.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/250ns
테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268HV

재고 있음7,596

IXBT20N300

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 50A 250W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.35µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음2,754

IXBT20N300HV

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3000V 50A 250W TO268

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3000V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 1.35µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지: TO-268

재고 있음4,518

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