트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BDV65C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 12A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,366
BDV65-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 12A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음6,768
BDW23A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,766
BDW23ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,874
BDW23BTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,542
BDW23C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,418
BDW23CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,372
BDW23-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 45V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,122
BDW23TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,262
BDW24A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,604
BDW24ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,334
BDW24B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,826
BDW24BTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,590
BDW24C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,416
BDW24CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,682
BDW24-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 45V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,932
BDW24TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,104
BDW42 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,236
BDW42G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음20,844
BDW46 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,176
BDW46G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음20,220
BDW47 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,408
BDW47G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V 전력-최대: 85W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음18,216
BDW53A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,610
BDW53B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,226
BDW53C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,588
BDW53D-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,752
BDW53-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 45V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,230
BDW54A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,174
BDW54B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,248

BDV65C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 12A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,366

BDV65-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 12A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음6,768

BDW23A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,766

BDW23ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,874

BDW23BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,542

BDW23C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,418

BDW23CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,372

BDW23-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 45V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,122

BDW23TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,262

BDW24A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,604

BDW24ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,334

BDW24B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,826

BDW24BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,590

BDW24C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,416

BDW24CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,682

BDW24-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 45V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,932

BDW24TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,104

BDW42

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,236

BDW42G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음20,844

BDW46

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,176

BDW46G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음20,220

BDW47

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,408

BDW47G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 15A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
전력-최대: 85W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음18,216

BDW53A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,610

BDW53B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,226

BDW53C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,588

BDW53D-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,752

BDW53-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 45V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,230

BDW54A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,174

BDW54B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 40mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,248

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