트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BD746C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 20A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음8,010
BD746-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 20A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음8,874
BD787 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음8,064
BD787G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음25,716
BD788 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음8,586
BD788G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음19,980
BD809G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 1.5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,428
BD810 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 1.5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,418
BD810G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 1.5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음9,768
BD895A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 45V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,988
BD895-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 45V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,964
BD897A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,680
BD897-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,012
BD898A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,984
BD898-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,326
BD899A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,156
BD900A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,682
BD901-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,370
BD902-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,542
BD910 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 15A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,250
BD911 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 15A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음17,178
BD912 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 15A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V 전력-최대: 90W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,144
BDC01DRL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음8,694
BDP947E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음7,236
BDP947H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음5,238
BDP948E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음2,520
BDP948E6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음3,240
BDP948H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음3,582
BDP948H6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음5,094
BDP949E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음3,978

BD746C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 20A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음8,010

BD746-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 20A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 5A, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음8,874

BD787

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음8,064

BD787G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음25,716

BD788

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음8,586

BD788G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음19,980

BD809G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 1.5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,428

BD810

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 1.5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,418

BD810G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 1.5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음9,768

BD895A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 45V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,988

BD895-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 45V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,964

BD897A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,680

BD897-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,012

BD898A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,984

BD898-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,326

BD899A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,156

BD900A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 16mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,682

BD901-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,370

BD902-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,542

BD910

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 15A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,250

BD911

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 15A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음17,178

BD912

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 15A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 4V
전력-최대: 90W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,144

BDC01DRL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음8,694

BDP947E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음7,236

BDP947H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음5,238

BDP948E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음2,520

BDP948E6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음3,240

BDP948H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음3,582

BDP948H6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음5,094

BDP949E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

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