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트랜지스터

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부품 번호
설명
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A MINIP3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MiniP3-F2-B
재고 있음6,030
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A MINIP3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16000 @ 1A, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MiniP3-F2-B
재고 있음2,268
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음3,132
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음4,662
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음6,012
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음5,130
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,668
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음4,932
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.015A SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 650MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음5,184
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A USSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 100mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-1123
  • 공급자 장치 패키지: USSMini3-F1-B
재고 있음6,858
DSL12AW-7
DSL12AW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 20mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 800mA, 1.5 V
  • 전력-최대: 450mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음5,688
DSM80100M-7
DSM80100M-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 0.5A SOT26

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP + Diode (Isolated)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-26
재고 있음5,004
DSM80101M-7
DSM80101M-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT26

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-26
재고 있음8,370
DSS20200L-7
DSS20200L-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 2A SOT-23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음84,102
DSS20201L-7
DSS20201L-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2A SOT-23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음542,448
DSS2515M-7B
DSS2515M-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UFDFN
  • 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
재고 있음8,892
DSS2540M-7B
DSS2540M-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UFDFN
  • 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
재고 있음5,778
DSS30101L-7
DSS30101L-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음5,274
DSS3515M-7B
DSS3515M-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 340MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UFDFN
  • 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
재고 있음4,194
DSS3540M-7B
DSS3540M-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.5A DFN1006-3

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UFDFN
  • 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
재고 있음8,622
DSS4140U-7
DSS4140U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A SOT-323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음23,118
DSS4140V-7
DSS4140V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A SOT-563

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 440mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음4,086
DSS4160T-7
DSS4160T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 725mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
재고 있음152,646
DSS4160TQ-7
DSS4160TQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V LOW SAT SOT23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 725mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
재고 있음7,308
DSS4160U-7
DSS4160U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SOT-323

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음8,694
DSS4160V-7
DSS4160V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SOT-563

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음42,732
DSS4220V-7
DSS4220V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2A SOT-563

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 260MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음28,674
DSS4240T-7
DSS4240T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 2A SOT-23

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 100MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3
재고 있음1,950,372
DSS4240V-7
DSS4240V-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 2A SOT-563

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 600mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SOT-563
재고 있음2,970
DSS4240Y-7
DSS4240Y-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 2A SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
  • 전력-최대: 625mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음4,050