트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DXT13003DK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 450V 1.5A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)	재고 있음7,218
DXT13003EK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 460V 1.5A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-2	재고 있음3,780
DXT2010P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음8,568
DXT2011P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음3,418
DXT2011P5Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음6,786
DXT2012P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음141,306
DXT2013P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음6,516
DXT2014P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 4A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음4,482
DXT2222A-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음555,714
DXT2907A-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,334
DXT3150-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음51,612
DXT3904-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음82,230
DXT3906-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음7,578
DXT458P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 2.8W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음3,114
DXT5401-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음7,308
DXT5551-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음248,688
DXT5551P5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 2.25W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음6,048
DXT5551P5Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,244
DXT651-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음24,180
DXT651Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,960
DXT690BP5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 740mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음8,712
DXT690BP5Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V HIGH GAIN PDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V 전력-최대: 740mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음5,454
DXT696BK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 0.5A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V 전력-최대: 3.9W 주파수-전환: 70MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음3,888
DXT751-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,838
DXT751Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음6,498
DXT790AP5-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A POWERDI5 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 3.2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5	재고 있음2,736
DXTA42-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음4,320
DXTA92-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,564
DXTN07025BFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 240MHz 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음7,272
DXTN07045DFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음2,610

DXT13003DK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)

재고 있음7,218

DXT13003EK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 460V 1.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 460V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-2

재고 있음3,780

DXT2010P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음8,568

DXT2011P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음3,418

DXT2011P5Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음6,786

DXT2012P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음141,306

DXT2013P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음6,516

DXT2014P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 4A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음4,482

DXT2222A-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음555,714

DXT2907A-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,334

DXT3150-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음51,612

DXT3904-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음82,230

DXT3906-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음7,578

DXT458P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 2.8W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음3,114

DXT5401-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음7,308

DXT5551-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음248,688

DXT5551P5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 2.25W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음6,048

DXT5551P5Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,244

DXT651-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음24,180

DXT651Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,960

DXT690BP5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 740mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음8,712

DXT690BP5Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V HIGH GAIN PDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
전력-최대: 740mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음5,454

DXT696BK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 0.5A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
전력-최대: 3.9W
주파수-전환: 70MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음3,888

DXT751-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,838

DXT751Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음6,498

DXT790AP5-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 3.2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerDI™ 5
공급자 장치 패키지: PowerDI™ 5

재고 있음2,736

DXTA42-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음4,320

DXTA92-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,564

DXTN07025BFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 240MHz
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음7,272

DXTN07045DFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음2,610

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