트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DZT851-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음21,942
DZT853-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음41,958
DZT951-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,022
DZT953-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음5,364
DZT955-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 4A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,552
DZTA42-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음1,680,600
DZTA42Q-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 500MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음6,156
DZTA92-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음26,100
ECH8102-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 12A ECH8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 135mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.6W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 8-ECH	재고 있음27,822
EN2222A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,798
EN2907A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,060
ESM2012DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,470
ESM2030DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,964
ESM3030DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V 전력-최대: 225W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음3,438
ESM3045DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음2,016
ESM4045DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,534
ESM5045DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,662
ESM6045AV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 72A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음5,526
ESM6045DV STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.35V @ 4A, 70A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 70A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	견적 요청
FCX1047ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 4A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음28,758
FCX1051ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 10mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 155MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음75,330
FCX1053ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 75V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 440mV @ 200mA, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음7,632
FCX1147ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 115MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음6,354
FCX1149ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 140mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 135MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음14,034
FCX1151ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음20,136
FCX2016TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,700
FCX458TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.225A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 225mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,621,910
FCX491ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음184,698
FCX491QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,748
FCX491TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음208,944

DZT851-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음21,942

DZT853-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음41,958

DZT951-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,022

DZT953-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음5,364

DZT955-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 4A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,552

DZTA42-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음1,680,600

DZTA42Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 500MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음6,156

DZTA92-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음26,100

ECH8102-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 12A ECH8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 135mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.6W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 8-ECH

재고 있음27,822

EN2222A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,798

EN2907A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,060

ESM2012DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,470

ESM2030DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,964

ESM3030DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V
전력-최대: 225W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음3,438

ESM3045DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 24A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음2,016

ESM4045DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,534

ESM5045DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,662

ESM6045AV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 72A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음5,526

ESM6045DV

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.35V @ 4A, 70A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 70A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

견적 요청

FCX1047ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 4A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음28,758

FCX1051ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 10mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 155MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음75,330

FCX1053ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 75V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 75V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 440mV @ 200mA, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음7,632

FCX1147ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 115MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음6,354

FCX1149ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 140mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 135MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음14,034

FCX1151ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음20,136

FCX2016TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,700

FCX458TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.225A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 225mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,621,910

FCX491ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음184,698

FCX491QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,748

FCX491TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음208,944

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