트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FJL4215OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 17A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음6,408
FJL4315OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 17A TO264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음8,136
FJL6820TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 750V 20A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음4,788
FJL6825ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 750V 25A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음2,772
FJL6825TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 750V 25A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음6,102
FJL6920TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 20A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음9,744
FJL6920YDTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 20A TO-264 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264-3	재고 있음6,210
FJMA790 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 35V 2A MICROFET2X2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)	재고 있음3,258
FJN13003BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,268
FJN13003TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,068
FJN3301RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,910
FJN3301RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,408
FJN3303BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,780
FJN3303FBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V 전력-최대: 650mW 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음21,888
FJN3303FTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V 전력-최대: 650mW 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음19,188
FJN3303TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.1W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,580
FJN5471BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,676
FJN5471PWD ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,924
FJN5471TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,460
FJN965BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,412
FJN965TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,076
FJNS7565BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 5A TO-92MINI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 60mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 450 @ 500mA, 2V 전력-최대: 550mW 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음6,660
FJNS7565TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 5A TO-92MINI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 60mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 450 @ 500mA, 2V 전력-최대: 550mW 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음6,624
FJP13007 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,244
FJP13007H1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,272
FJP13007H1TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,200
FJP13007H1TU-F080 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음19,380
FJP13007H2 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,554
FJP13007H2TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,080
FJP13007H2TU-F080 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,418

FJL4215OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 17A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음6,408

FJL4315OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 17A TO264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음8,136

FJL6820TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 750V 20A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음4,788

FJL6825ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 750V 25A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음2,772

FJL6825TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 750V 25A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 750V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음6,102

FJL6920TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 20A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음9,744

FJL6920YDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 20A TO-264

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264-3

재고 있음6,210

FJMA790

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 35V 2A MICROFET2X2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)

재고 있음3,258

FJN13003BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,268

FJN13003TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,068

FJN3301RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,910

FJN3301RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,408

FJN3303BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,780

FJN3303FBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V
전력-최대: 650mW
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음21,888

FJN3303FTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V
전력-최대: 650mW
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음19,188

FJN3303TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.1W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,580

FJN5471BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,676

FJN5471PWD

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,924

FJN5471TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 700 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,460

FJN965BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,412

FJN965TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,076

FJNS7565BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 5A TO-92MINI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 60mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 450 @ 500mA, 2V
전력-최대: 550mW
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음6,660

FJNS7565TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 5A TO-92MINI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 60mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 450 @ 500mA, 2V
전력-최대: 550mW
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음6,624

FJP13007

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,244

FJP13007H1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,272

FJP13007H1TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,200

FJP13007H1TU-F080

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음19,380

FJP13007H2

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,554

FJP13007H2TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,080

FJP13007H2TU-F080

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TO220 HV FAST-SWITCHING NPN PWR

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,418

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