트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FJP13007TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,658
FJP13009 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,228
FJP13009H2 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,860
FJP13009H2TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음19,644
FJP13009TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음21,096
FJP1943OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 230V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,030
FJP1943RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 230V 15A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음18,480
FJP2145TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 5A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: ESBC™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V 전력-최대: 120W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,968
FJP2160DTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: ESBC™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,436
FJP3305 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,048
FJP3305H1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,434
FJP3305H1TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,816
FJP3305H2 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,444
FJP3305H2TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,256
FJP3305TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,194
FJP3307DH2TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,752
FJP3307DTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,094
FJP3835TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,402
FJP5021 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,520
FJP5021O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,562
FJP5021OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,356
FJP5021OV ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,406
FJP5021OVTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,320
FJP5021R ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,622
FJP5021RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,752
FJP5021RV ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,730
FJP5021RVTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,436
FJP5021Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,554
FJP5027O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,938
FJP5027OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음17,262

FJP13007TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,658

FJP13009

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,228

FJP13009H2

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,860

FJP13009H2TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음19,644

FJP13009TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음21,096

FJP1943OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,030

FJP1943RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 15A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음18,480

FJP2145TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 5A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: ESBC™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
전력-최대: 120W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,968

FJP2160DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: ESBC™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,436

FJP3305

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,048

FJP3305H1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,434

FJP3305H1TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,816

FJP3305H2

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,444

FJP3305H2TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,256

FJP3305TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,194

FJP3307DH2TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,752

FJP3307DTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,094

FJP3835TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,402

FJP5021

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,520

FJP5021O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,562

FJP5021OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,356

FJP5021OV

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,406

FJP5021OVTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,320

FJP5021R

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,622

FJP5021RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,752

FJP5021RV

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,730

FJP5021RVTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,436

FJP5021Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,554

FJP5027O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,938

FJP5027OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

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