트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,316
BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,802
BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음144,024
BCR10PNH6727XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,568
BCR10PNH6730XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,592
BCR116SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,796
BCR 116S E6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,658
BCR116SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,304
BCR 116S H6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,096
BCR119SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,994
BCR119SE6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,598
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,012
BCR119SH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,996
BCR129SE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,598
BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,570
BCR133SB6327XT Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,262
BCR133SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,798
BCR133SE6433BTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,966
BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음86,862
BCR133SH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,420
BCR 133S H6444 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,042
BCR135SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,262
BCR135SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음360,294
BCR135SH6827XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,122
BCR141SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,824
BCR 141S E6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,214
BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,364
BCR 141S H6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,312
BCR148SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,994
BCR148SE6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,492

BCR10PNB6327XT

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,316

BCR10PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,802

BCR10PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음144,024

BCR10PNH6727XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,568

BCR10PNH6730XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,592

BCR116SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,796

BCR 116S E6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,658

BCR116SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,304

BCR 116S H6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,096

BCR119SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,994

BCR119SE6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,598

BCR119SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,012

BCR119SH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,996

BCR129SE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,598

BCR129SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,570

BCR133SB6327XT

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,262

BCR133SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,798

BCR133SE6433BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,966

BCR133SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음86,862

BCR133SH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,420

BCR 133S H6444

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,042

BCR135SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,262

BCR135SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음360,294

BCR135SH6827XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,122

BCR141SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,824

BCR 141S E6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,214

BCR141SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,364

BCR 141S H6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,312

BCR148SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,994

BCR148SE6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,492

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