트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BCR148SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,672
BCR148SH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,796
BCR 148S H6827 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,742
BCR169SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,888
BCR169SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,776
BCR183SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,894
BCR183SE6433BTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,672
BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,380
BCR183SH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,050
BCR183UE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: PG-SC74-6	재고 있음2,502
BCR185SB6327XT Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,050
BCR185SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,140
BCR185SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음100,716
BCR198SE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 190MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,652
BCR198SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 190MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,268
BCR198SH6827XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 190MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,244
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,924
BCR22PNE6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,040
BCR22PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음6,048
BCR22PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,920
BCR 22PN H6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,358
BCR35PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,100
BCR35PNE6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,596
BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음27,600
BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,844
BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz, 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,982
BCR48PNE6433BTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz, 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음2,538
BCR48PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz, 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음4,230
BCR48PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz, 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음7,308
BCR 48PN H6727 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 100MHz, 200MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,022

BCR148SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,672

BCR148SH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,796

BCR 148S H6827

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,742

BCR169SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,888

BCR169SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,776

BCR183SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,894

BCR183SE6433BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,672

BCR183SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,380

BCR183SH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,050

BCR183UE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: PG-SC74-6

재고 있음2,502

BCR185SB6327XT

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,050

BCR185SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,140

BCR185SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음100,716

BCR198SE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 190MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,652

BCR198SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 190MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,268

BCR198SH6827XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 190MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,244

BCR22PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,924

BCR22PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,040

BCR22PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음6,048

BCR22PNH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,920

BCR 22PN H6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,358

BCR35PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,100

BCR35PNE6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,596

BCR35PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음27,600

BCR35PNH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,844

BCR48PNE6327BTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz, 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,982

BCR48PNE6433BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz, 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음2,538

BCR48PNH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz, 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음4,230

BCR48PNH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz, 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음7,308

BCR 48PN H6727

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA, 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 100MHz, 200MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,022

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