트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TIS97_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,510
TIS97_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,848
TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 320mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,420
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 320mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음50,424
TN2219A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음7,956
TN2219A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음7,668
TN2219A_J05Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,212
TN2907A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.8A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음7,686
TN2907A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.8A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음3,456
TN3019A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음8,946
TN3019A_J05Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,732
TN3440A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 0.1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음2,916
TN4033A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음2,484
TN4033A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음5,220
TN5415A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 0.1A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음7,560
TN6705A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음4,788
TN6705A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음5,436
TN6707A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음6,048
TN6714A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음6,480
TN6714A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음6,804
TN6714A_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음6,228
TN6715A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음5,778
TN6715A_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음5,904
TN6715A_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음2,556
TN6716A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음8,676
TN6717A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음4,050
TN6718A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음3,492
TN6718A_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음5,652
TN6719A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226-3	재고 있음6,498
TN6719A_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A TO-226 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음4,698

TIS97_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,510

TIS97_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.5A TO-92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,848

TMBT3904,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 320mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,420

TMBT3906,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 320mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음50,424

TN2219A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음7,956

TN2219A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음7,668

TN2219A_J05Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,212

TN2907A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.8A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음7,686

TN2907A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.8A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음3,456

TN3019A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음8,946

TN3019A_J05Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,732

TN3440A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 0.1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음2,916

TN4033A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음2,484

TN4033A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음5,220

TN5415A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 0.1A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음7,560

TN6705A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음4,788

TN6705A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음5,436

TN6707A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음6,048

TN6714A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음6,480

TN6714A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음6,804

TN6714A_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음6,228

TN6715A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음5,778

TN6715A_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음5,904

TN6715A_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음2,556

TN6716A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음8,676

TN6717A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음4,050

TN6718A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음3,492

TN6718A_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음5,652

TN6719A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226-3

재고 있음6,498

TN6719A_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A TO-226

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음4,698

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