트랜지스터

TSC966CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100

• 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
• 공급자 장치 패키지: SOT-223

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TTA0002(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 160V 18A TO-3PL

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
• 전력-최대: 180W
• 주파수-전환: 30MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3PL
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(L)

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TTA003,L1NQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
• 전력-최대: 10W
• 주파수-전환: 100MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD

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TTA004B,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 160V 1.5A TO126N

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 전력-최대: 10W
• 주파수-전환: 100MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
• 공급자 장치 패키지: TO-126N

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TTA1713-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR VCEO-45V IC-0.5A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TTA1713-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR VCEO-45V IC-0.5A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TTA1943(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
• 전력-최대: 150W
• 주파수-전환: 30MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3PL
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(L)

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TTC0002(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 18A TO-3PL

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 18A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
• 전력-최대: 180W
• 주파수-전환: 30MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3PL
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(L)

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TTC004B,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1.5A TO126N

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
• 전력-최대: 10W
• 주파수-전환: 100MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
• 공급자 장치 패키지: TO-126N

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TTC008(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 285V 1.5A PW MOLD2

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 285V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 전력-최대: 1.1W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD2

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TTC009,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 80V TO220-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 전력-최대: 2W
• 주파수-전환: 150MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS

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TTC009,F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 80V TO220-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
• 전력-최대: 2W
• 주파수-전환: 150MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS

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TTC012(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V
• 전력-최대: 1.1W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD2

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TTC1949-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TTC1949-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TTC4116FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• 트랜지스터 유형: -
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
• 전류-수집기 차단 (최대): -
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
• 전력-최대: -
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TTC5200(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 15A TO-3PL

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
• 전력-최대: 150W
• 주파수-전환: 30MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-3PL
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(L)

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UML1NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SOT353

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP + Diode (Isolated)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 전력-최대: 150mW
• 주파수-전환: 140MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: UMT5

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UML2NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT353

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
• 전력-최대: 150mW
• 주파수-전환: 180MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: UMT5

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UML4NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 0.5A SOT353

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP + Diode (Isolated)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 전력-최대: 120mW
• 주파수-전환: 260MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: UMT5

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UML6NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 0.5A UMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN + Diode (Isolated)
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
• 전력-최대: 120mW
• 주파수-전환: 320MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 공급자 장치 패키지: UMT5

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UMT2222AT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-323

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 200mW
• 주파수-전환: 300MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: UMT3

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UMT2907AT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-323

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 200mW
• 주파수-전환: 200MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: UMT3

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UMT3904T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-323

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 200mW
• 주파수-전환: 300MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: UMT3

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UMT3906T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-323

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 전력-최대: 200mW
• 주파수-전환: 250MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: UMT3

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US6T4TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A TUMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 280MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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US6T5TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A TUMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 전력-최대: 400mW
• 주파수-전환: 280MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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US6T6TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A TUMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 360MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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US6T7TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
• 전력-최대: 1W
• 주파수-전환: 280MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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US6X3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 3A TUMT6

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
• 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
• 전력-최대: 400mW
• 주파수-전환: 360MHz
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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