트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZTX601STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,744
ZTX603 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음88,782
ZTX603STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,310
ZTX603STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,232
ZTX603STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,320
ZTX605 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음142,518
ZTX605STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,678
ZTX605STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,130
ZTX605STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음8,352
ZTX614 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-226	재고 있음4,248
ZTX614 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음56,352
ZTX614STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,322
ZTX614STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,474
ZTX614STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,094
ZTX618 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음23,952
ZTX618STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,834
ZTX618STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,056
ZTX618STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,924
ZTX649 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 240MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음26,328
ZTX649STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 240MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,398
ZTX649STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 240MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,534
ZTX649STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 240MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,714
ZTX651 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음26,208
ZTX651STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,294
ZTX651STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,690
ZTX651STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음33,216
ZTX653 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음27,300
ZTX653STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,004
ZTX653STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,562
ZTX653STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 175MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,032

ZTX601STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 10mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,744

ZTX603

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음88,782

ZTX603STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,310

ZTX603STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,232

ZTX603STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,320

ZTX605

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음142,518

ZTX605STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,678

ZTX605STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,130

ZTX605STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음8,352

ZTX614

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-226

재고 있음4,248

ZTX614

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음56,352

ZTX614STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,322

ZTX614STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,474

ZTX614STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.25V @ 8mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,094

ZTX618

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음23,952

ZTX618STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,834

ZTX618STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,056

ZTX618STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 255mV @ 50mA, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,924

ZTX649

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 240MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음26,328

ZTX649STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 240MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,398

ZTX649STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 240MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,534

ZTX649STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 240MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,714

ZTX651

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음26,208

ZTX651STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,294

ZTX651STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,690

ZTX651STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음33,216

ZTX653

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음27,300

ZTX653STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,004

ZTX653STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,562

ZTX653STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 175MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,032

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