트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZTX749_J61Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A E-LINE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,420
ZTX749STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,708
ZTX749STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,816
ZTX749STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,840
ZTX751 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음19,062
ZTX751STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,034
ZTX751STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,722
ZTX753 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음17,304
ZTX753STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,376
ZTX753STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음8,946
ZTX753STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 1W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,786
ZTX755 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,626
ZTX755STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,254
ZTX755STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,844
ZTX757 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음25,896
ZTX757STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,596
ZTX757STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,760
ZTX757STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,616
ZTX758 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,798
ZTX758STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,924
ZTX758STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,340
ZTX758STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,534
ZTX776 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,804
ZTX776STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,014
ZTX776STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,858
ZTX776STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음5,868
ZTX788A Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음8,784
ZTX788ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,862
ZTX788ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,516
ZTX788ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,898

ZTX749_J61Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A E-LINE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,420

ZTX749STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,708

ZTX749STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,816

ZTX749STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,840

ZTX751

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음19,062

ZTX751STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,034

ZTX751STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,722

ZTX753

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음17,304

ZTX753STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,376

ZTX753STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음8,946

ZTX753STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 1W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,786

ZTX755

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,626

ZTX755STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,254

ZTX755STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,844

ZTX757

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음25,896

ZTX757STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,596

ZTX757STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,760

ZTX757STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,616

ZTX758

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,798

ZTX758STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,924

ZTX758STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,340

ZTX758STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,534

ZTX776

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,804

ZTX776STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,014

ZTX776STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,858

ZTX776STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음5,868

ZTX788A

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음8,784

ZTX788ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,862

ZTX788ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,516

ZTX788ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,898

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