트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZTX955 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,544
ZTX955STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음8,028
ZTX955STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,124
ZTX955STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 3A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,942
ZTX956STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,086
ZTX956STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음8,136
ZTX956STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 2A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,042
ZTX957 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음25,926
ZTX957STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,562
ZTX957STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음6,858
ZTX957STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 1A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음2,556
ZTX958 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음25,080
ZTX958STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,056
ZTX958STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,024
ZTX958STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,474
ZTX968 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음30,396
ZTX968STOA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음4,752
ZTX968STOB Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음3,472
ZTX968STZ Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.58W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)	재고 있음7,326
ZUMT2369ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN 15V 200MA SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,568
ZUMT491TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음25,698
ZUMT491TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 1A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,560
ZUMT591TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,460
ZUMT591TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,744
ZUMT617TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 1.5A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 385mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,400
ZUMT617TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 1.5A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 385mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,084
ZUMT618TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1.25A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 385mW 주파수-전환: 210MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음51,948
ZUMT618TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1.25A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 385mW 주파수-전환: 210MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,572
ZUMT619TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 1A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 385mW 주파수-전환: 215MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음224,046
ZUMT717TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 1.25A SC70-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,716

ZTX955

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,544

ZTX955STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음8,028

ZTX955STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,124

ZTX955STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 3A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,942

ZTX956STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,086

ZTX956STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음8,136

ZTX956STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 2A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,042

ZTX957

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음25,926

ZTX957STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,562

ZTX957STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음6,858

ZTX957STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 1A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음2,556

ZTX958

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음25,080

ZTX958STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,056

ZTX958STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,024

ZTX958STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,474

ZTX968

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음30,396

ZTX968STOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음4,752

ZTX968STOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음3,472

ZTX968STZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.58W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: E-Line-3, Formed Leads
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)

재고 있음7,326

ZUMT2369ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN 15V 200MA SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,568

ZUMT491TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음25,698

ZUMT491TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 1A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,560

ZUMT591TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,460

ZUMT591TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,744

ZUMT617TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 1.5A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 385mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,400

ZUMT617TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 1.5A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 385mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,084

ZUMT618TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1.25A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 385mW
주파수-전환: 210MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음51,948

ZUMT618TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1.25A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 385mW
주파수-전환: 210MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,572

ZUMT619TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 1A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 385mW
주파수-전환: 215MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음224,046

ZUMT717TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 1.25A SC70-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,716

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message