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DRC9115T0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음57,132
DRC9123E0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,812
DRC9123J0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음56,454
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음8,316
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음52,590
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음52,812
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음22,860
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,812
DRC9143X0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음4,770
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음2,070
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음5,778
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음22,140
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,272
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음2,106
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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음29,298
DRC9144W0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 47 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,002
DRC9152Z0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 510 Ohms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음6,066
DRC9A14E0L
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Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.125W SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음7,128
DRC9A43E0L
DRC9A43E0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.125W SSMINI3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 125mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3-B
재고 있음3,510
DRDNB16W-7
DRDNB16W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음138,852
DRDNB26W-7
DRDNB26W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 220 Ohms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음4,572
DRDPB16W-7
DRDPB16W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음44,574
DRDPB26W-7
DRDPB26W-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 220 Ohms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SOT-363
재고 있음6,210
DTA013ZEBTL
DTA013ZEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음4,194
DTA013ZMT2L
DTA013ZMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,734
DTA013ZUBTL
DTA013ZUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC85

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음6,624
DTA014EEBTL
DTA014EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음4,356
DTA014EMT2L
DTA014EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음5,670
DTA014EUBTL
DTA014EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음8,280
DTA014TEBTL
DTA014TEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음6,354