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트랜지스터

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DTA014TMT2L
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Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음3,330
DTA014TUBTL
DTA014TUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음7,506
DTA014YEBTL
DTA014YEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음2,232
DTA014YMT2L
DTA014YMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음6,210
DTA014YUBTL
DTA014YUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음5,742
DTA015EEBTL
DTA015EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음27,534
DTA015EMT2L
DTA015EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음88,476
DTA015EUBTL
DTA015EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음3,114
DTA015TEBTL
DTA015TEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음24,210
DTA015TMT2L
DTA015TMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음5,202
DTA015TUBTL
DTA015TUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 100 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음26,406
DTA023EEBTL
DTA023EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음8,172
DTA023EMT2L
DTA023EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음4,842
DTA023EUBTL
DTA023EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음4,284
DTA023JEBTL
DTA023JEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음5,292
DTA023JMT2L
DTA023JMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음2,394
DTA023JUBTL
DTA023JUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음8,406
DTA023YEBTL
DTA023YEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음4,500
DTA023YMT2L
DTA023YMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음4,266
DTA023YUBTL
DTA023YUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SC85

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음3,490
DTA024EEBTL
DTA024EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음2,898
DTA024EMT2L
DTA024EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음4,374
DTA024EUBTL
DTA024EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음2,664
DTA024XEBTL
DTA024XEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,100
DTA024XUBTL
DTA024XUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 22 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음5,418
DTA043EEBTL
DTA043EEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음6,570
DTA043EMT2L
DTA043EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음5,850
DTA043EUBTL
DTA043EUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음3,060
DTA043TEBTL
DTA043TEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음2,790
DTA043TMT2L
DTA043TMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음2,862