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트랜지스터

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부품 번호
설명
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DTA143TUBTL
DTA143TUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음3,690
DTA143XCAT116
DTA143XCAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음59,418
DTA143XEBTL
DTA143XEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음4,482
DTA143XEFRATL
DTA143XEFRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음6,660
DTA143XETL
DTA143XETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음7,920
DTA143XKAT146
DTA143XKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음6,156
DTA143XMFHAT2L
DTA143XMFHAT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음6,012
DTA143XMT2L
DTA143XMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음3,582
DTA143XU3HZGT106
DTA143XU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA143XU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음8,586
DTA143XU3T106
DTA143XU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA143XU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음8,532
DTA143XUAT106
DTA143XUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음5,094
DTA143XUA-TP
DTA143XUA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNPDIGITALTRANSISTORSSOT-323

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): -
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SOT-323
재고 있음29,214
DTA143XUBTL
DTA143XUBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-85
  • 공급자 장치 패키지: UMT3F
재고 있음25,662
DTA143ZCAT116
DTA143ZCAT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SST3
재고 있음5,310
DTA143ZCA-TP
DTA143ZCA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23
재고 있음25,278
DTA143ZEBHZGTL
DTA143ZEBHZGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음5,274
DTA143ZEBTL
DTA143ZEBTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3F

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: EMT3F (SOT-416FL)
재고 있음6,768
DTA143ZEFRATL
DTA143ZEFRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DIGITAL TRANSISTOR PNP 50V 100MA

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음6,282
DTA143ZET1
DTA143ZET1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416
재고 있음8,370
DTA143ZET1G
DTA143ZET1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416
재고 있음82,950
DTA143ZETL
DTA143ZETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
  • 공급자 장치 패키지: EMT3
재고 있음5,490
DTA143ZE-TP
DTA143ZE-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-523
  • 공급자 장치 패키지: SOT-523
재고 있음22,746
DTA143ZKAT146
DTA143ZKAT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3
재고 있음24,276
DTA143ZKA-TP
DTA143ZKA-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3L
재고 있음8,748
DTA143ZM3T5G
DTA143ZM3T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 260mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: SOT-723
재고 있음4,662
DTA143ZMFHAT2L
DTA143ZMFHAT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음83,904
DTA143ZMT2L
DTA143ZMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 150mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-723
  • 공급자 장치 패키지: VMT3
재고 있음94,392
DTA143ZU3HZGT106
DTA143ZU3HZGT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

DTA143ZU3HZG IS A DIGITAL TRANSI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음5,976
DTA143ZU3T106
DTA143ZU3T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음8,298
DTA143ZUAT106
DTA143ZUAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 전력-최대: 200mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음2,412