트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DTB123TCT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음4,356
DTB123TKT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음5,220
DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음4,194
DTB123YCT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음24,684
DTB123YKT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음4,734
DTB123YUT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음21,720
DTB143ECHZGT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR ( 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,390
DTB143ECT116 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음6,732
DTB143ECT216 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SST3	재고 있음2,448
DTB143EKT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음25,554
DTB143ESTP Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음3,544
DTB143TKT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음6,696
DTB513ZETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음23,082
DTB513ZMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음6,642
DTB523YETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음2,178
DTB523YMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음6,696
DTB543EETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음8,136
DTB543EMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음6,156
DTB543XMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음5,292
DTB543ZETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음3,816
DTB713ZETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음4,878
DTB713ZMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음74,634
DTB723YETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음3,474
DTB723YMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음2,772
DTB743EETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음8,802
DTB743EMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음8,046
DTB743XETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음3,438
DTB743XMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음5,418
DTB743ZETL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음8,604
DTB743ZMT2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음6,822

DTB123TCT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음4,356

DTB123TKT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음5,220

DTB123YCHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음4,194

DTB123YCT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음24,684

DTB123YKT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음4,734

DTB123YUT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음21,720

DTB143ECHZGT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased + Diode
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,390

DTB143ECT116

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음6,732

DTB143ECT216

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SST3

재고 있음2,448

DTB143EKT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음25,554

DTB143ESTP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음3,544

DTB143TKT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음6,696

DTB513ZETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음23,082

DTB513ZMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음6,642

DTB523YETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음2,178

DTB523YMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음6,696

DTB543EETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음8,136

DTB543EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음6,156

DTB543XMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음5,292

DTB543ZETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음3,816

DTB713ZETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음4,878

DTB713ZMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음74,634

DTB723YETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음3,474

DTB723YMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음2,772

DTB743EETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음8,802

DTB743EMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음8,046

DTB743XETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음3,438

DTB743XMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음5,418

DTB743ZETL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음8,604

DTB743ZMT2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음6,822

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message