트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MUN5132DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음8,298
MUN5133DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음5,112
MUN5134DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음4,932
MUN5135DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음2,430
MUN5135DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음91,266
MUN5136DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,110
MUN5136DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,408
MUN5137DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,168
MUN5137DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,384
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,542
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음1,240,488
MUN5212DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음5,292
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음42,210
MUN5213DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음224,796
MUN5213DW1T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음7,722
MUN5214DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음137,652
MUN5215DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음88,404
MUN5216DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,114
MUN5216DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음368,082
MUN5230DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음8,514
MUN5230DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음207,198
MUN5231DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음4,248
MUN5232DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,282
MUN5232DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음139,560
MUN5233DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음4,806
MUN5233DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음85,044
MUN5234DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음6,264
MUN5234DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음3,492
MUN5235DW1T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음4,068
MUN5235DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음148,308

MUN5132DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음8,298

MUN5133DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음5,112

MUN5134DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음4,932

MUN5135DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음2,430

MUN5135DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음91,266

MUN5136DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,110

MUN5136DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,408

MUN5137DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,168

MUN5137DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,384

MUN5211DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,542

MUN5211DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음1,240,488

MUN5212DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음5,292

MUN5212DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음42,210

MUN5213DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음224,796

MUN5213DW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음7,722

MUN5214DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음137,652

MUN5215DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음88,404

MUN5216DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,114

MUN5216DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음368,082

MUN5230DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음8,514

MUN5230DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음207,198

MUN5231DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음4,248

MUN5232DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,282

MUN5232DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음139,560

MUN5233DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음4,806

MUN5233DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음85,044

MUN5234DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음6,264

MUN5234DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음3,492

MUN5235DW1T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음4,068

MUN5235DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음148,308

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