트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EMH10T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,272
EMH11FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,698
EMH11T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음325,380
EMH15T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,892
EMH1FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,294
EMH1T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,906
EMH25FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN 100MA EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음141,030
EMH2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음257,646
EMH3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,420
EMH4T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,358
EMH59T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,950
EMH60T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음63,024
EMH61T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,484
EMH6T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음84,822
EMH75T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,182
EMH9FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,628
EMH9T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음147,948
FMA10AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음2,100
FMA11AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음4,482
FMA1AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,762
FMA2AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음7,164
FMA3AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,060
FMA4AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음58,914
FMA5AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음22,158
FMA7AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음8,388
FMA8AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음6,444
FMA9AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음2,394
FMC3AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음6,462
FMC4AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA, 300mV @ 5mA, 250µA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음7,614
FMC5AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,330

EMH10T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,272

EMH11FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,698

EMH11T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음325,380

EMH15T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,892

EMH1FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,294

EMH1T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,906

EMH25FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN 100MA EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음141,030

EMH2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음257,646

EMH3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,420

EMH4T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,358

EMH59T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,950

EMH60T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음63,024

EMH61T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,484

EMH6T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음84,822

EMH75T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,182

EMH9FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,628

EMH9T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음147,948

FMA10AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음2,100

FMA11AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음4,482

FMA1AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,762

FMA2AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음7,164

FMA3AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,060

FMA4AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음58,914

FMA5AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음22,158

FMA7AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음8,388

FMA8AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음6,444

FMA9AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음2,394

FMC3AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음6,462

FMC4AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA, 300mV @ 5mA, 250µA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음7,614

FMC5AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,330

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