트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
EMB2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음64,974
EMB3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음70,506
EMB4T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,420
EMB51T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,284
EMB61T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음5,994
EMB6T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,480
EMB75T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음77,868
EMB9T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음7,506
EMC2DXV5T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음2,088
EMC2DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음5,436
EMC4DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음6,660
EMC5DXV5T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음3,582
EMC5DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음33,570
EMD12FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음5,076
EMD12T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,644
EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,176
EMD22T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음60,228
EMD29T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V 저항-베이스 (R1): 1kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 260MHz 전력-최대: 120mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,928
EMD2FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,840
EMD2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음8,370
EMD30T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 30V 저항-베이스 (R1): 10kOhms, 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 260MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,250
EMD3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음5,508
EMD4DXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,568
EMD4DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,022
EMD4T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음6,408
EMD53T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음2,646
EMD59T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음4,842
EMD5DXV6T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,958
EMD5DXV6T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,928
EMD5DXV6T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음2,862

EMB2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음64,974

EMB3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음70,506

EMB4T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,420

EMB51T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,284

EMB61T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음5,994

EMB6T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,480

EMB75T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음77,868

EMB9T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음7,506

EMC2DXV5T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음2,088

EMC2DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음5,436

EMC4DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음6,660

EMC5DXV5T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음3,582

EMC5DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음33,570

EMD12FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음5,076

EMD12T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,644

EMD22FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,176

EMD22T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음60,228

EMD29T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V
저항-베이스 (R1): 1kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 260MHz
전력-최대: 120mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,928

EMD2FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,840

EMD2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음8,370

EMD30T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 30V
저항-베이스 (R1): 10kOhms, 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 260MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,250

EMD3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음5,508

EMD4DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,568

EMD4DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,022

EMD4T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음6,408

EMD53T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음2,646

EMD59T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음4,842

EMD5DXV6T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,958

EMD5DXV6T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,928

EMD5DXV6T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음2,862

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