트랜지스터

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DMG963030R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음4,716
DMG963H10R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음6,192
DMG963H50R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음4,590
DMG963HC0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 510Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 5.1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음3,186
DMG963HD0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms, 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음5,688
DMG963HE0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 30V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B	재고 있음5,346
DMG964010R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음2,754
DMG964020R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음7,416
DMG964030R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음4,176
DMG964040R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음4,662
DMG964050R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음3,472
DMG964060R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음69,390
DMG9640M0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음8,910
DMG9640N0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음6,732
DMG9640T0R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음2,502
DMG964H10R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음6,696
DMG964H30R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음3,618
DMG964H50R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 125mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B	재고 있음3,168
EMA11T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음4,770
EMA2T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음8,514
EMA3T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음2,322
EMA4T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음6,552
EMA5T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음7,164
EMA6DXV5T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음7,668
EMA6DXV5T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음2,142
EMA6DXV5T5G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 230mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: SOT-553	재고 있음2,466
EMA8T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 공급자 장치 패키지: EMT5	재고 있음3,888
EMB10T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음5,166
EMB11FHAT2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP 100MA EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,132
EMB11T2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: EMT6	재고 있음3,960

DMG963030R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음4,716

DMG963H10R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음6,192

DMG963H50R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음4,590

DMG963HC0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 510Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 5.1kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음3,186

DMG963HD0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms, 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음5,688

DMG963HE0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 30V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-665
공급자 장치 패키지: SSMini5-F4-B

재고 있음5,346

DMG964010R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음2,754

DMG964020R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음7,416

DMG964030R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음4,176

DMG964040R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음4,662

DMG964050R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음3,472

DMG964060R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음69,390

DMG9640M0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음8,910

DMG9640N0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음6,732

DMG9640T0R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음2,502

DMG964H10R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음6,696

DMG964H30R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음3,618

DMG964H50R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 125mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SSMini6-F3-B

재고 있음3,168

EMA11T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음4,770

EMA2T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음8,514

EMA3T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음2,322

EMA4T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음6,552

EMA5T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음7,164

EMA6DXV5T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음7,668

EMA6DXV5T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음2,142

EMA6DXV5T5G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 230mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: SOT-553

재고 있음2,466

EMA8T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
공급자 장치 패키지: EMT5

재고 있음3,888

EMB10T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음5,166

EMB11FHAT2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP 100MA EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,132

EMB11T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: EMT6

재고 있음3,960

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