트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FJNS4206RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,096
FJNS4206RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,760
FJNS4207RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음8,370
FJNS4207RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음6,408
FJNS4208RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음8,028
FJNS4208RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음8,946
FJNS4209RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음5,436
FJNS4209RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음8,604
FJNS4210RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,466
FJNS4210RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음6,426
FJNS4211RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,862
FJNS4211RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음8,262
FJNS4212RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,158
FJNS4212RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,916
FJNS4213RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,842
FJNS4213RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,662
FJNS4214RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음7,182
FJNS4214RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,086
FJV3101RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음99,024
FJV3102RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음6,012
FJV3103RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음3,580
FJV3104RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,960
FJV3105RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,898
FJV3106RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,850
FJV3107RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,538
FJV3108RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음4,788
FJV3109RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음4,680
FJV3110RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음84,720
FJV3111RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음3,222
FJV3112RMTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,814

FJNS4206RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,096

FJNS4206RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,760

FJNS4207RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음8,370

FJNS4207RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음6,408

FJNS4208RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음8,028

FJNS4208RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음8,946

FJNS4209RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음5,436

FJNS4209RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음8,604

FJNS4210RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,466

FJNS4210RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음6,426

FJNS4211RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,862

FJNS4211RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음8,262

FJNS4212RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,158

FJNS4212RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,916

FJNS4213RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,842

FJNS4213RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,662

FJNS4214RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음7,182

FJNS4214RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,086

FJV3101RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음99,024

FJV3102RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음6,012

FJV3103RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음3,580

FJV3104RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,960

FJV3105RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,898

FJV3106RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,850

FJV3107RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,538

FJV3108RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음4,788

FJV3109RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음4,680

FJV3110RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음84,720

FJV3111RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음3,222

FJV3112RMTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,814

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