트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PDTA114EMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음5,094
PDTA114EQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 280mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음3,402
PDTA114ES,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,790
PDTA114ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음226,020
PDTA114ET,235 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음8,550
PDTA114EU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음101,136
PDTA114EU,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음2,232
PDTA114EU/MIF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 RET 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음4,572
PDTA114TE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음3,384
PDTA114TEF,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SC-89	재고 있음8,712
PDTA114TK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음3,492
PDTA114TK,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음8,910
PDTA114TM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음3,924
PDTA114TMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음8,604
PDTA114TS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,302
PDTA114TT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음18,456
PDTA114TU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음18,588
PDTA114YE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음6,786
PDTA114YK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음4,320
PDTA114YM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음4,662
PDTA114YMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음8,478
PDTA114YQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 280mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음6,876
PDTA114YS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,516
PDTA114YT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음13,644
PDTA114YU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음19,014
PDTA114YUF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PDTA114YU/SOT323/SC-70 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음91,050
PDTA115EE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음8,352
PDTA115EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음5,832
PDTA115EM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음7,470
PDTA115EMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음2,502

PDTA114EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음5,094

PDTA114EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 280mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음3,402

PDTA114ES,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,790

PDTA114ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음226,020

PDTA114ET,235

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음8,550

PDTA114EU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음101,136

PDTA114EU,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음2,232

PDTA114EU/MIF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

RET

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음4,572

PDTA114TE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음3,384

PDTA114TEF,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SC-89

재고 있음8,712

PDTA114TK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음3,492

PDTA114TK,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음8,910

PDTA114TM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음3,924

PDTA114TMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음8,604

PDTA114TS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,302

PDTA114TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음18,456

PDTA114TU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음18,588

PDTA114YE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음6,786

PDTA114YK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음4,320

PDTA114YM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음4,662

PDTA114YMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음8,478

PDTA114YQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 280mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음6,876

PDTA114YS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,516

PDTA114YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음13,644

PDTA114YU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음19,014

PDTA114YUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PDTA114YU/SOT323/SC-70

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음91,050

PDTA115EE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음8,352

PDTA115EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음5,832

PDTA115EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음7,470

PDTA115EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음2,502

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