트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PDTA124XM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음4,914
PDTA124XMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음6,084
PDTA124XS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,610
PDTA124XT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음2,520
PDTA124XU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음3,888
PDTA143EE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음3,436
PDTA143EEF,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SC-89	재고 있음4,104
PDTA143EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음2,322
PDTA143EM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음3,168
PDTA143EQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 280mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음5,616
PDTA143ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음103,692
PDTA143EU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음15,000
PDTA143TE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음2,052
PDTA143TK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음8,910
PDTA143TM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음7,182
PDTA143TMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음4,230
PDTA143TS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,218
PDTA143TT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음5,220
PDTA143TU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음2,142
PDTA143XE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음4,410
PDTA143XE,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음7,380
PDTA143XK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음5,958
PDTA143XM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음3,150
PDTA143XMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음6,588
PDTA143XQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 280mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음7,632
PDTA143XS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
PDTA143XT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음150,996
PDTA143XTVL Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 PDTA143XT/SOT23/TO-236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,642
PDTA143XU,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음8,118
PDTA143ZE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음6,930

PDTA124XM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음4,914

PDTA124XMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음6,084

PDTA124XS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,610

PDTA124XT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음2,520

PDTA124XU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음3,888

PDTA143EE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음3,436

PDTA143EEF,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SC-89

재고 있음4,104

PDTA143EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음2,322

PDTA143EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음3,168

PDTA143EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 280mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음5,616

PDTA143ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음103,692

PDTA143EU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음15,000

PDTA143TE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음2,052

PDTA143TK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음8,910

PDTA143TM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음7,182

PDTA143TMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음4,230

PDTA143TS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,218

PDTA143TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음5,220

PDTA143TU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음2,142

PDTA143XE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음4,410

PDTA143XE,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음7,380

PDTA143XK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음5,958

PDTA143XM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음3,150

PDTA143XMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음6,588

PDTA143XQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 280mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음7,632

PDTA143XS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

PDTA143XT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음150,996

PDTA143XTVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PDTA143XT/SOT23/TO-236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,642

PDTA143XU,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음8,118

PDTA143ZE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음6,930

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