트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PDTB123EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음7,362
PDTB123EQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 325mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음2,646
PDTB123ES,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,966
PDTB123ET,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,246
PDTB123EUF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,984
PDTB123EUX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음2,412
PDTB123TK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음4,302
PDTB123TS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,488
PDTB123TT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음5,184
PDTB123YK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음7,092
PDTB123YQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 325mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음8,658
PDTB123YS,126 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 500mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,304
PDTB123YT,215 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음148,188
PDTB123YUF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음7,920
PDTB123YUX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음5,994
PDTB143EQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 325mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음3,780
PDTB143ETR Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.46W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 320mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음2,808
PDTB143ETVL Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.46W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 320mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음7,218
PDTB143EUF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음4,950
PDTB143EUX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음5,166
PDTB143XQAZ Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 325mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3	재고 있음5,040
PDTB143XTR Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.46W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 320mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음29,052
PDTB143XTVL Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.46W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 320mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,300
PDTB143XUF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음5,760
PDTB143XUX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 0.425W 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 140MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70	재고 있음6,012
PDTC114EE,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 230MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75	재고 있음4,446
PDTC114EK,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음7,434
PDTC114EK,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK	재고 있음4,716
PDTC114EM,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: DFN1006-3	재고 있음7,848
PDTC114EMB,315 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 230MHz 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: DFN1006B-3	재고 있음8,172

PDTB123EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음7,362

PDTB123EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 325mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음2,646

PDTB123ES,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,966

PDTB123ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,246

PDTB123EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,984

PDTB123EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음2,412

PDTB123TK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음4,302

PDTB123TS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,488

PDTB123TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음5,184

PDTB123YK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음7,092

PDTB123YQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 325mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음8,658

PDTB123YS,126

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 500mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,304

PDTB123YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음148,188

PDTB123YUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음7,920

PDTB123YUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음5,994

PDTB143EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 325mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음3,780

PDTB143ETR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 320mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음2,808

PDTB143ETVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 320mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음7,218

PDTB143EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음4,950

PDTB143EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음5,166

PDTB143XQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 325mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN1010D-3

재고 있음5,040

PDTB143XTR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 320mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음29,052

PDTB143XTVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.46W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 320mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,300

PDTB143XUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음5,760

PDTB143XUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 0.425W

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 140MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70

재고 있음6,012

PDTC114EE,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 230MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75

재고 있음4,446

PDTC114EK,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음7,434

PDTC114EK,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK

재고 있음4,716

PDTC114EM,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: DFN1006-3

재고 있음7,848

PDTC114EMB,315

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 230MHz
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: DFN1006B-3

재고 있음8,172

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