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트랜지스터

기록 64,903
페이지 696/2164
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
PDTD113ZK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음4,680
PDTD113ZQAZ
PDTD113ZQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음6,498
PDTD113ZS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,668
PDTD113ZT,215
PDTD113ZT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음177,264
PDTD113ZTVL
PDTD113ZTVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음90,738
PDTD113ZUF
PDTD113ZUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음4,032
PDTD113ZUX
PDTD113ZUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 1 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음8,820
PDTD114EQAZ
PDTD114EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음3,438
PDTD114ETR
PDTD114ETR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음3,600
PDTD114ETVL
PDTD114ETVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음4,068
PDTD114EUF
PDTD114EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음5,760
PDTD114EUX
PDTD114EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 10 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음6,912
PDTD123EK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음6,210
PDTD123EQAZ
PDTD123EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음7,218
PDTD123ES,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,254
PDTD123ET,215
PDTD123ET,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음28,926
PDTD123EUF
PDTD123EUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음4,536
PDTD123EUX
PDTD123EUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음6,498
PDTD123TK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음7,848
PDTD123TS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음2,106
PDTD123TT,215
PDTD123TT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음13,440
PDTD123YK,115

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: SMT3; MPAK
재고 있음6,156
PDTD123YQAZ
PDTD123YQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음7,830
PDTD123YS,126

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 500mW
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
재고 있음7,560
PDTD123YT,215
PDTD123YT,215

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: -
  • 전력-최대: 250mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음1,214,094
PDTD123YUF
PDTD123YUF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음5,634
PDTD123YUX
PDTD123YUX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 300mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: SC-70
재고 있음3,024
PDTD143EQAZ
PDTD143EQAZ

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 전력-최대: 325mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: DFN1010D-3
재고 있음5,490
PDTD143ETR
PDTD143ETR

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음2,988
PDTD143ETVL
PDTD143ETVL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

  • 제조업체: Nexperia USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
  • 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA
  • 주파수-전환: 225MHz
  • 전력-최대: 320mW
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB
재고 있음2,268