트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTM50DUM35TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,966
APTM50DUM38TG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,832
APTM50H10FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V 전력-최대: 312W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,388
APTM50H14FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3259pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,202
APTM50H15FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5448pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,346
APTM50HM35FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V 전력-최대: 781W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,870
APTM50HM38FG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V 전력-최대: 694W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,040
APTM50HM65FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,914
APTM50HM65FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,636
APTM50HM75FT3G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,178
APTM50HM75FTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,338
APTM50HM75SCTG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,500
APTM50HM75STG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V 전력-최대: 357W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,964
APTM50TAM65FPG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,968
APTM50TDUM65PG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,302
APTM60A11FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10552pF @ 25V 전력-최대: 390W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,868
APTM60A23FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5316pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,212
APTM60H23FT1G Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5316pF @ 25V 전력-최대: 208W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,966
APTMC120AM08CD3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 490nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9500pF @ 1000V 전력-최대: 1100W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음6,300
APTMC120AM09CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 644nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 1000V 전력-최대: 1250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,796
APTMC120AM12CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 483nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 1000V 전력-최대: 925W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,978
APTMC120AM16CD3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 131A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 1000V 전력-최대: 625W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,490
APTMC120AM20CT1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5960pF @ 1000V 전력-최대: 600W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,732
APTMC120AM25CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 113A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 1000V 전력-최대: 500W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,316
APTMC120AM55CT1AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 1000V 전력-최대: 250W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,562
APTMC120HM17CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 POWER MODULE - SIC MOSFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 147A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 332nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5576pF @ 1000V 전력-최대: 750W 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,826
APTMC120HR11CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 POWER MODULE - SIC MOSFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V 전력-최대: 125W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,156
APTMC120HRM40CT3AG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 POWER MODULE - SIC MOSFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 12.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2788pF @ 1000V 전력-최대: 375W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,716
APTMC120TAM12CTPAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 483nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 1000V 전력-최대: 925W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,572
APTMC120TAM17CTPAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 147A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 322nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 1000V 전력-최대: 625W 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,340

APTM50DUM35TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,966

APTM50DUM38TG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,832

APTM50H10FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4367pF @ 25V
전력-최대: 312W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,388

APTM50H14FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3259pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,202

APTM50H15FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5448pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,346

APTM50HM35FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 25V
전력-최대: 781W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,870

APTM50HM38FG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11200pF @ 25V
전력-최대: 694W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,040

APTM50HM65FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,914

APTM50HM65FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,636

APTM50HM75FT3G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,178

APTM50HM75FTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,338

APTM50HM75SCTG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5590pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,500

APTM50HM75STG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 25V
전력-최대: 357W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,964

APTM50TAM65FPG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,968

APTM50TDUM65PG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7000pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,302

APTM60A11FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 330nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10552pF @ 25V
전력-최대: 390W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,868

APTM60A23FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5316pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,212

APTM60H23FT1G

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5316pF @ 25V
전력-최대: 208W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,966

APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 490nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9500pF @ 1000V
전력-최대: 1100W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음6,300

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 295A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 644nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11000pF @ 1000V
전력-최대: 1250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,796

APTMC120AM12CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 483nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 1000V
전력-최대: 925W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,978

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 131A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 1000V
전력-최대: 625W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,490

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 360nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5960pF @ 1000V
전력-최대: 600W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,732

APTMC120AM25CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 113A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 1000V
전력-최대: 500W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,316

APTMC120AM55CT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 1000V
전력-최대: 250W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,562

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC MOSFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 147A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 332nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5576pF @ 1000V
전력-최대: 750W
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,826

APTMC120HR11CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC MOSFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V
전력-최대: 125W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,156

APTMC120HRM40CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC MOSFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 12.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2788pF @ 1000V
전력-최대: 375W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,716

APTMC120TAM12CTPAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 483nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 1000V
전력-최대: 925W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,572

APTMC120TAM17CTPAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 147A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 322nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 1000V
전력-최대: 625W
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,340

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