트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PBLS4001D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음3,636
PBLS4001V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음4,662
PBLS4001Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음25,230
PBLS4002D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음7,830
PBLS4002V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음4,014
PBLS4002Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음24,672
PBLS4003D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음29,562
PBLS4003V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음7,092
PBLS4003Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음28,542
PBLS4004D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음4,590
PBLS4004V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음3,456
PBLS4004Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음26,046
PBLS4005D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음24,264
PBLS4005V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음7,254
PBLS4005Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 300MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음8,730
PBLS6001D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음4,914
PBLS6002D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음22,674
PBLS6003D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음24,486
PBLS6004D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음26,532
PBLS6005D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음2,232
PBLS6021D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음3,402
PBLS6022D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음8,982
PBLS6023D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음2,232
PBLS6024D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음4,986
PEMB10,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음33,258
PEMB11,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 180MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음89,196
PEMB1,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음8,856
PEMB13,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음3,708
PEMB14,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음6,192
PEMB15,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음4,680

PBLS4001D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음3,636

PBLS4001V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음4,662

PBLS4001Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음25,230

PBLS4002D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음7,830

PBLS4002V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음4,014

PBLS4002Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음24,672

PBLS4003D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음29,562

PBLS4003V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음7,092

PBLS4003Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음28,542

PBLS4004D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음4,590

PBLS4004V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음3,456

PBLS4004Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음26,046

PBLS4005D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음24,264

PBLS4005V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음7,254

PBLS4005Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 40V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 300MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음8,730

PBLS6001D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음4,914

PBLS6002D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음22,674

PBLS6003D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음24,486

PBLS6004D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음26,532

PBLS6005D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음2,232

PBLS6021D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음3,402

PBLS6022D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음8,982

PBLS6023D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 60V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음2,232

PBLS6024D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 65V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음4,986

PEMB10,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음33,258

PEMB11,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 180MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음89,196

PEMB1,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음8,856

PEMB13,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음3,708

PEMB14,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음6,192

PEMB15,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음4,680

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