트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NSVMUN5333DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음247,368
NSVMUN5333DW1T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음2,646
NSVMUN5334DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음4,788
NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 187mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음2,772
NSVS50030SB3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,816
NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 250mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363	재고 있음5,382
NSVUMC2NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	재고 있음6,678
NSVUMC3NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	재고 있음5,364
NSVUMC5NT2G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	재고 있음5,184
NUS2401SNT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 175Ohms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 350mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-74	재고 있음3,132
NUS2401SNT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 175Ohms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 175Ohms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 350mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SC-74	재고 있음3,544
PBLS1501V,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음92,622
PBLS1501Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,490
PBLS1502V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음4,932
PBLS1502Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음5,058
PBLS1503V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음2,484
PBLS1503Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음45,744
PBLS1504V,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-666	재고 있음8,064
PBLS1504Y,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 280MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음7,254
PBLS2001D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음29,910
PBLS2001S,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 1.5W 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,534
PBLS2002D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음22,416
PBLS2002S,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 1.5W 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,352
PBLS2003D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음6,192
PBLS2003S,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 100MHz 전력-최대: 1.5W 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,052
PBLS2004D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 185MHz 전력-최대: 600mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음23,280
PBLS2021D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음4,788
PBLS2022D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음3,528
PBLS2023D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음8,406
PBLS2024D,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA 주파수-전환: 130MHz 전력-최대: 760mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: 6-TSOP	재고 있음6,696

NSVMUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음247,368

NSVMUN5333DW1T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음2,646

NSVMUN5334DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음4,788

NSVMUN5336DW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 100kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 187mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음2,772

NSVS50030SB3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PNP BIPO 50V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,816

NSVTB60BDW1T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 250mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363

재고 있음5,382

NSVUMC2NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

재고 있음6,678

NSVUMC3NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

재고 있음5,364

NSVUMC5NT2G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)

재고 있음5,184

NUS2401SNT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 175Ohms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 350mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-74

재고 있음3,132

NUS2401SNT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 175Ohms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 175Ohms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 350mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SC-74

재고 있음3,544

PBLS1501V,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음92,622

PBLS1501Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,490

PBLS1502V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음4,932

PBLS1502Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음5,058

PBLS1503V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음2,484

PBLS1503Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음45,744

PBLS1504V,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-666

재고 있음8,064

PBLS1504Y,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 15V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 280MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음7,254

PBLS2001D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음29,910

PBLS2001S,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 1.5W
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,534

PBLS2002D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음22,416

PBLS2002S,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 1.5W
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,352

PBLS2003D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음6,192

PBLS2003S,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 100MHz
전력-최대: 1.5W
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,052

PBLS2004D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 185MHz
전력-최대: 600mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음23,280

PBLS2021D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음4,788

PBLS2022D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음3,528

PBLS2023D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음8,406

PBLS2024D,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 1.8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 20V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA, 100nA
주파수-전환: 130MHz
전력-최대: 760mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: 6-TSOP

재고 있음6,696

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message