트랜지스터

SISB46DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 20V
• 전력-최대: 23W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8 Dual
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 Dual

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SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 15V
• 전력-최대: 69.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SCD
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SCD

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SISF02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.5A (Ta), 60A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 10V
• 전력-최대: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SCD
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SCD

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SISF20DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 52A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 30V
• 전력-최대: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8SCD
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8SCD

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SIX3134K-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N-CHANNELMOSFETSOT-563

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 16V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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SIX3439K-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

N/P-CHANNELMOSFETSOT-563

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 750mA, 660mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF, 170pF @ 16V
• 전력-최대: -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH DUAL 30V

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
• 전력-최대: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

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SIZ300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A, 28A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 16.7W, 31W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®

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SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: PowerPAIR®, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 40A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
• 전력-최대: 16.7W, 31W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ322DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 12.5V
• 전력-최대: 16.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ328DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
• 전력-최대: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: PowerPAIR®, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A, 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
• 전력-최대: 16.7W, 31W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ342DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 100A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 15V
• 전력-최대: 3.6W, 4.3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: PowerPAIR®, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc), 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
• 전력-최대: 16W, 16.7W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ348DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
• 전력-최대: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET® Gen IV
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 30A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.3nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 15V
• 전력-최대: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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SIZ700DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
• 전력-최대: 2.36W, 2.8W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ702DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 15V
• 전력-최대: 27W, 30W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ704DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
• 전력-최대: 20W, 30W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 10V
• 전력-최대: 27W, 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ720DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 825pF @ 10V
• 전력-최대: 27W, 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 12.5V
• 전력-최대: 27W, 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ730DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
• 전력-최대: 27W, 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ790DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: SkyFET®, TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 35A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 15V
• 전력-최대: 27W, 48W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A, 28A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1830pF @ 15V
• 전력-최대: 48W, 100W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 15V
• 전력-최대: 29W, 66W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ904DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
• 전력-최대: 20W, 33W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-PowerPair™
• 공급자 장치 패키지: 6-PowerPair™

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SIZ910DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
• 전력-최대: 48W, 100W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

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SIZ914DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1208pF @ 15V
• 전력-최대: 22.7W, 100W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair®

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SIZ916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1208pF @ 15V
• 전력-최대: 22.7W, 100W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-PowerPair® (6x5)

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