트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,860
RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음8,586
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,974
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음5,742
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,578
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음6,876
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음2,376
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,870
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음30,366
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,352
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음8,460
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음31,302
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음8,010
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음33,420
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-553 공급자 장치 패키지: ESV	재고 있음32,472
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음7,344
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음4,482
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음3,114
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음3,906
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음5,112
RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음23,922
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,318
RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음34,128
RN2903,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음6,300
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: US6	재고 있음7,812
RN2904FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 100mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: ES6	재고 있음31,182

RN2704,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,860

RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음8,586

RN2705,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,974

RN2706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음5,742

RN2706,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,578

RN2707JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음6,876

RN2707,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

RN2708JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음2,376

RN2708,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,870

RN2709JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음30,366

RN2709,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,352

RN2710JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음8,460

RN2710,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

RN2711JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음31,302

RN2711(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

재고 있음8,010

RN2712JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음33,420

RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-553
공급자 장치 패키지: ESV

재고 있음32,472

RN2714,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

RN2901FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음7,344

RN2901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,344

RN2901(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음4,482

RN2902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음3,114

RN2902FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음3,906

RN2902,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음5,112

RN2902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음23,922

RN2902(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,318

RN2903FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음34,128

RN2903,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음6,300

RN2903,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: US6

재고 있음7,812

RN2904FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 100mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: ES6

재고 있음31,182

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