트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
PXAC261002FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15.1dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 210mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음3,978
PXAC261202FCV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.61GHZ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 2.61GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 230mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음4,338
PXAC261202FCV1S250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.61GHZ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 2.61GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 230mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음8,154
PXAC261202FCV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.61GHZ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual), Common Source 주파수: 2.61GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 230mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음4,482
PXAC261212FC-V1 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 280mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음7,110
PXAC261212FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 280mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음8,532
PXAC261212FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 280mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음6,354
PXAD184218FV-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RFP-LD10E 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 720mA 전원-출력: 130W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275G-6/2	재고 있음2,070
PXAD184218FV-V1-R2 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 720mA 전원-출력: 130W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275G-6/2	재고 있음5,112
PXAD214218FV-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 720mA 전원-출력: 290W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275G-6/2	재고 있음3,708
PXAD214218FV-V1-R2 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 720mA 전원-출력: 290W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37275G-6/2 공급자 장치 패키지: H-37275G-6/2	재고 있음2,826
PXFC191507FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,066
PXFC192207FH-V3-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,238
PXFC192207NF-V1-R500 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892
PXFC192207SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,310
PXFC193808SVV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,074
PXFC211507SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,038
PXFC212551SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,788
QPD1003 RFMD	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF TRANSISTOR 제조업체: RFMD 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
QPD1008L RFMD	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF TRANSISTOR 125W 50V NI-360 제조업체: RFMD 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,238
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH PW-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 520MHz 이득: 10.8dB 전압-테스트: 7.2V 전류 정격 (Amps): 1A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 1.2W 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PW-MINI	재고 있음8,856
RFM03U3CT(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH RF-CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 520MHz 이득: 14.8dB 전압-테스트: 3.6V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 3W 전압-정격: 16V 패키지 / 케이스: 2-SMD, No Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: RF-CST3	재고 있음15,972
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH PW-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 470MHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 6V 전류 정격 (Amps): 2A 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 4.3W 전압-정격: 16V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PW-MINI	재고 있음5,832
RFM08U9X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH PW-X 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 520MHz 이득: 11.7dB 전압-테스트: 9.6V 전류 정격 (Amps): 5A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 7.5W 전압-정격: 36V 패키지 / 케이스: TO-271AA 공급자 장치 패키지: PW-X	재고 있음17,712
RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH PW-X 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 520MHz 이득: 10.8dB 전압-테스트: 7.2V 전류 정격 (Amps): 4A 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-271AA 공급자 장치 패키지: PW-X	재고 있음16,896
SD2900 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 400MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 900mA 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음6,318
SD2902 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 400MHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 2.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 25mA 전원-출력: 15W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음8,172
SD2903 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 400MHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 5A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: M229 공급자 장치 패키지: M229	재고 있음3,924
SD2904 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 400MHz 이득: 11.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 5A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음4,716
SD2918 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 30MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 6A 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: M113 공급자 장치 패키지: M113	재고 있음5,454

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