트랜지스터

AOK10N90

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 10A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3160pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 403W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK18N65L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 18A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3785pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK20N60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK20S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1038pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 266W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK22N50L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3710pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK2500L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6460pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 27A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1294pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK29S50L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 29A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1312pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK40N30L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 40A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3270pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 357W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK42S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 39A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 21A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2154pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 417W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK53S60

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3034pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 520W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK53S60L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 53A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: aMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3034pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 520W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK5N100

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 4A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 195W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK5N100L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 4A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 195W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK60N30L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 60A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 106nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5330pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 658W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK8N80

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 245W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK8N80L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 245W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOK9N90

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 9A TO247

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2560pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 368W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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AOL1202

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRA-SO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 54A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 58W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1206

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 54A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1208

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1240

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 19A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 69A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1242

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 14A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 69A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 68W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1404

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4630pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 15V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 6.2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1412

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: SRFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7716pF @ 15V
• FET 기능: Schottky Diode (Body)
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1413

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 38A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 38W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1414

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.08W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1418

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.08W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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AOL1422

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta), 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.08W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UltraSO-8™
• 패키지 / 케이스: 3-PowerSMD, Flat Leads

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