Taiwan Semiconductor Corporation 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-단일
제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
기록 301
페이지 11/11
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | 기술 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | Vgs (최대) | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | FET 기능 | 전력 손실 (최대) | 작동 온도 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 패키지 / 케이스 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Taiwan Semiconductor Corporation |
MOSFET P-CHANNEL |
4,734 |
|
- | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60V | 18A (Tc) | 4.5V, 10V | 68mOhm @ 6A, 10V | 2.2V @ 250µA | 16.4nC @ 10V | ±20V | 870pF @ 30V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220 | TO-220-3 |