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Toshiba Semiconductor and Storage 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
기록 61
페이지 3/3
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
트랜지스터 유형
전류-수집기 (Ic) (최대)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic
전류-수집기 차단 (최대)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
전력-최대
주파수-전환
작동 온도
장착 유형
패키지 / 케이스
공급자 장치 패키지
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
3,490
-
2 PNP (Dual)
150mA
50V
300mV @ 10mA, 100mA
100nA (ICBO)
200 @ 2mA, 6V
300mW
80MHz
125°C (TJ)
Surface Mount
SC-74, SOT-457
SM6