Transphorm 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
제조업체Transphorm
기록 1
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | FET 유형 | FET 기능 | 드레인-소스 전압 (Vdss) | 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | Rds On (최대) @ Id, Vgs | Vgs (th) (최대) @ Id | 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 전력-최대 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Transphorm |
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
8,640 |
|
- | 2 N-Channel (Half Bridge) | GaNFET (Gallium Nitride) | 600V | 70A (Tc) | 34mOhm @ 30A, 8V | - | 28nC @ 8V | 2260pF @ 100V | 470W | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | Module | Module |