Instant Offers

부품 번호	설명	재고 있음
FF300R12MS4BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A 전력-최대: 1950W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,654
APTGT450A60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 1750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,384
BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 210A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2.8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,920
FS200R06KE3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음1
CM75RX-24S Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter with Brake 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.5nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음211
APTGT200A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1040W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음531
BSM150GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음280
APTGL475U120DAG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2307W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음1
APTGT150TDU60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,691
FZ600R12KS4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 3900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 39nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,252
FF450R07ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 450A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 560A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 27.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,628
CM200DX-24S Powerex Inc.	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: IGBTMOD™ IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 10V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음1,258
FF300R12ME3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR ECONOD-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: EconoDUAL™ IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,288
FF300R12KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 460A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음316
FF200R17KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 310A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,170
BYM300A120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음1,936
FF150R17KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,095
FF300R07ME4B11BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 390A 전력-최대: 1100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,746
FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,355
FP75R06KE3BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 75A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,928
FP40R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 40A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 210W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,653
FF300R07KE4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음1,029
FF300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 600V 300A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음73
FZ400R12KP4HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT MED PWR 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 2400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,652
DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: 1040W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,576
FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 1200V 150A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,992
F3L200R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE VCES 650V 200A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,616
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 180A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전력-최대: 595W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음159
APTCV60HM45BC20T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음29
BSM15GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,158

FF300R12MS4BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
전력-최대: 1950W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,654

APTGT450A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 1750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,384

BSM150GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 210A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2.8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,920

FS200R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음1

CM75RX-24S

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD 7PAC 1200V 75A NX SER

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.5nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음211

APTGT200A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1040W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음531

BSM150GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음280

APTGL475U120DAG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2307W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음1

APTGT150TDU60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,691

FZ600R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 3900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 39nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,252

FF450R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 450A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 560A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 27.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,628

CM200DX-24S

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: IGBTMOD™
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 10V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음1,258

FF300R12ME3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR ECONOD-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: EconoDUAL™
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,288

FF300R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 460A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음316

FF200R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 310A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,170

BYM300A120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음1,936

FF150R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,095

FF300R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 390A
전력-최대: 1100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,746

FS75R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,355

FP75R06KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,928

FP40R12KE3GBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,653

FF300R07KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음1,029

FF300R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 300A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음73

FZ400R12KP4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT MED PWR 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 2400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,652

DF200R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: 1040W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,576

FF150R12KE3GB2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,992

F3L200R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 650V 200A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,616

BSM150GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 180A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전력-최대: 595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음159

APTCV60HM45BC20T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음29

BSM15GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,158

Send Message

Certifications

Instant Offers

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message