Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

Instant Offers

기록 63,443
페이지 1904/2115
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MG06100S-BR1MM
MG06100S-BR1MM

Littelfuse

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 150A 625W PKG S

  • 제조업체: Littelfuse Inc.
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전력-최대: 625W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A (Typ)
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: S-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: S3
재고 있음2,574
MUBW25-12A7

트랜지스터-IGBT-모듈

CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.9VCE

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Three Phase Inverter with Brake
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전력-최대: 225W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 900µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: E2
  • 공급자 장치 패키지: E2
재고 있음2,255
FPF2C110BI07AS2
FPF2C110BI07AS2

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

NON - ISOLATION SOLAR INVERTER (

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 300W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 30-DIP Module
  • 공급자 장치 패키지: F2
재고 있음342
FP25R12U1T4BPSA1
FP25R12U1T4BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
  • 전력-최대: 190W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음956
MWI35-12A7
MWI35-12A7

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 62A
  • 전력-최대: 280W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 2mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: E2
  • 공급자 장치 패키지: E2
재고 있음245
MIXA40WB1200TED

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 40A

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: PT
  • 구성: Three Phase Inverter with Brake
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전력-최대: 195W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 2.1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: E2
  • 공급자 장치 패키지: E2
재고 있음676
APTGT75SK120TG
APTGT75SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
  • 전력-최대: 357W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음5,046
F3L100R12W2H3B11BPSA1
F3L100R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 375W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,081
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Full Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
  • 전력-최대: 80W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 400µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 530pF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,036
F3L100R07W2E3B11BOMA1
F3L100R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 200A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 117A
  • 전력-최대: 300W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,956
FF100R12RT4HOSA1
FF100R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 555W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 630nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,130
APTGT50DDA120T3G
APTGT50DDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual Boost Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전력-최대: 270W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음1,696
F3L75R07W2E3B11BOMA1
F3L75R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 95A
  • 전력-최대: 250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음324
FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 39A
  • 전력-최대: 175W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.45nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음3,109
IXGN100N170

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전력-최대: 735W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.22nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
  • 공급자 장치 패키지: SOT-227B
견적 요청
APTGT50DDA60T3G
APTGT50DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual Boost Chopper
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전력-최대: 176W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음4,667
CPV363M4K
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
  • 전력-최대: 36W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 11A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 0.74nF @ 30V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
  • 공급자 장치 패키지: IMS-2
재고 있음53
F475R06W1E3BOMA1
F475R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 75A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 275W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음5,265
FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 600V 30A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 37A
  • 전력-최대: 115W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,830
APT100GN120J
APT100GN120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 153A 446W SOT227

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 153A
  • 전력-최대: 446W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
  • 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
재고 있음168
IXA60IF1200NA

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 88A SOT-227B

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: PT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 88A
  • 전력-최대: 290W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis, Stud Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
  • 공급자 장치 패키지: SOT-227B
재고 있음20
IXGN320N60A3

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V SOT-227B

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
  • 전력-최대: 735W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 150µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
  • 공급자 장치 패키지: SOT-227B
재고 있음310
CM200DY-24A
CM200DY-24A

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD DUAL 1200V 200A A SER

  • 제조업체: Powerex Inc.
  • 시리즈: IGBTMOD™
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전력-최대: 1340W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 35nF @ 10V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음1,874
CM100TX-24S1
CM100TX-24S1

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD NX 100A 1200V 6-PAC

  • 제조업체: Powerex Inc.
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Level Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전력-최대: 625W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 10V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,851
CM200DU-12F
CM200DU-12F

Powerex Inc.

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD DUAL 600V 200A F SER

  • 제조업체: Powerex Inc.
  • 시리즈: IGBTMOD™
  • IGBT 유형: Trench
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전력-최대: 590W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 54nF @ 10V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음1,116
MG06100S-BN4MM
MG06100S-BN4MM

Littelfuse

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 125A 330W PKG S

  • 제조업체: Littelfuse Inc.
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 125A
  • 전력-최대: 330W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: S-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: S3
재고 있음2,262
FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE VCES 1200V 75A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: 2 Independent
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전력-최대: 395W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음2,402
FAM65V05DF1
FAM65V05DF1

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-모듈

AUTOMOTIVE POWER MODULE

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Auto SPM®
  • IGBT 유형: -
  • 구성: Three Phase
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전력-최대: 333W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 3µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 27-DIP Module (44x26.8)
재고 있음5,874
FS50R12KE3BOSA1
FS50R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 50A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전력-최대: 270W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음4,709
FP25R12KE3BOSA1
FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 25A

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 155W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Module
  • 공급자 장치 패키지: Module
재고 있음216